在聊到800G DSP时，点击可链接Y8T100 Marvell 800G DSP

其中一个点是说400G DSP要从带有封装的形式，升级到800G时，要去掉封装，采用Die的形式来实现高密度的引脚。

这个去掉外封装的工艺，是要支持更高频的应用，原因Y8T99 高频DSP的焊点的间距为何要缩短

焊点的布局和电信号的高阶模的激发有关，对的，不只是光信号有高阶模，电信号也有，以前地频时不太引起注意而已。

这就和Y8T91 II VI：光模块未来封装热插拔还是CPO，中对DSP焊点间距的解释，起到互相印证的作用。

今天继续补充一下DSP Die的两个焊点画法的区别。

一个焊球的直径70μm，球间距150μm，这个叫C4凸点，controlled collapse chip connection，可控塌陷芯片连接，工艺是写在2020合集的第390页

那个小焊点，直径可以缩小到25μm，这个叫C2，chip connection，芯片连接，从这俩名字上看不出太大区别。

C4球，在芯片焊盘，一般用Al焊盘，之后用多层金属，来和铜层连接，多层金属起到黏附、接触以及中间防止迁移的隔离层，铜层上是焊料。

焊料，是低温熔融的金属，换句话说，在特定的温度下，焊料呈现液态，用于连接固态金属。

一旦呈现液态，就有了流动性，一方面通过紫色的阻焊框，来控制液体大范围流动，另一方面液体本身有表面张力，可以起到汇聚成球的作用。

我们的焊球高度在100μm左右的话，意味着在液态下会扩张到基本同等量级的直径，受控优化到也就是60-70μm的直径。

要想继续缩小焊点直径，从而降低焊点间距，实现更高频互联时，不出现电信号高阶模，就需要降低焊料的高度，不足的部分用铜柱来补充。

焊料是焊接温度点会熔化成液体，但铜柱不会，在焊接时能依然保持固体的铜柱形态。

这是C4和C2的主要区别，单从名字上看不出来的。

最后理一理逻辑关系。

高频电信号，信号与信号回流的GND之间的距离要更短，才能避免电信号的高阶模。

这需要高密度的焊点布局，400G DSP有外封装，到达800G时，就要考虑取消外封装，采用芯片的Die的凸点来达到高密度焊点

焊点的直径，受限于焊料熔融坍塌时表面张力所形成的液体球的半径（可推算高度与宽度）

降低焊点直径，就需要降低焊料高度，不足的高度通过不会产生熔融塌陷的铜柱弥补。

5月28号，预计用5个小时来聊聊2022年OFC和咱们光模块相关的一些技术进展，6月份有整期的光模块/光器件/光芯片的技术解析，可详询客服18140517646