CN117270120A，光迅对高速EML射频信号处理的一个组装专利，略写一下
光模块的调制信号频率越来越高，信号线要在电磁波的尺度去考虑
Y3T129 共面波导CPW
对于EML封装，之前也写过一些GND作为信号回流面，电磁波屏蔽层，避免电磁辐射，尽量选择闭合的GND，通常共面射频的GSG其实很难让GND完全形成闭合腔，通过金丝密织，或者带有金属镀层的陶瓷基板或者硅基板做信号线的“盒盖”，来提高高频信号降低辐射损耗的一种办法。
光迅的这个结构，EML的COC底部陶瓷是双层陶瓷，目的是中间的一层陶瓷可以做GND的金属层，且靠近表层的信号线，在双层陶瓷上方再次覆盖一个L型的陶瓷上盖，信号线上方增加一层GND，形成等效的带状线，提高射频性能
EML COC与PCB板依然采用金丝键合方案，密织形成拱形GND金丝屏蔽层，EML芯片的键合与陶瓷基板有个Y子结构，这与博通200G的键合金丝非常类似，Y的一侧有双金丝和另一侧的单金丝组成，双金丝是并联的电感，可以降低LC谐振频点，提高封装后的EML COC带宽。
光迅整个专利，没有画MPD，我脑补一下，如果加MPD，顶层覆盖的L陶瓷板，避让出MPD的位置即可。这倒不是最大的难题。
这个结构，顶层的陶瓷做L型，需要EML芯片挪一挪，留出GND的上下层合盖的位置
这会导致EA的射频键合金丝被拉长，而这个金丝的长度对于封装带宽至关重要，下图红色的部分是金丝，寄生电感导致一个LC的谐振频率，采用双线键合与陶瓷基板的信号线互联，比单金丝线效果好一些
上面覆盖GND层是提高射频带宽的优化，导致EML信号键合金丝增长会略微导致封装带宽的下降，对于整体带宽的提升是二者的共同作用
