下一代会基于8 x 200G的1.6T光模块， 博通准备在OFC发布200G EML，200G VCSEL，和用于硅光集成的200G/lane的CW激光器。

首先采用1.6T光模块的会是谷歌和英伟达，这俩数据中心结构，写在2023合集下册，其中谷歌的部分核心光器件原理是在今年上半年写的。

《2023合集下》 英伟达AI/HPC的网络拓扑图

《2023合集下》 Google的Gemini的TPU光交换技术

博通要发布的这几个产品，现在还没有图片，但是有些技术是有迹可循的，权当猜测吧，半个月后就能做比对了，是吧。

200G的EML，EA区域采用台面结构，限制因子提高，吸收区长度约80μm左右（我自己瞎猜的），降低RC常数，封装后带宽~60GHz，可用于200Gbps PAM4信号调制。

这周末是半导体激光器原理，下图左侧是博通100G的VCSEL，将来的200G的方案，我自己的观点，他们会采用底面发光，Flip Chip工艺。

P电极不开孔，顶面盘做部分接触，一部分用于嵌入式结构降低串联电阻R，一部分作为P型DBR的补充反射，降低P型半导体高度和直径，降低高度降低串联电阻R，减小直径则降低PN结电容C，降低RC常数，提高VCSEL带宽，

Flip Chip工艺，降低PN结的结温，提高VCSEL带宽

博通的CPO，采用硅光集成的MZ调制器，之前是单通道100G/lane，之后可提高到200G/lane

配合硅光调制器的CW光源，之前采用的是CW DFB 247C，按照这个技术路径的话，要么采用原信号和封装路线不变，要么就会采用flip chip attach的混合集成方案，1.6T OSFP-XD热插拔封装的话，我倾向于博通会选择混合attach方案。

明天是激光器专题，刚好会聊到高速EML、VCSEL和大功率的CW激光器。