OFC2024的展示区，有上海大学一个锗硅APD的低温-262℃的测试数据。大多数的时候，咱们光模块都很关注高温特性，今天略写一下为什么锗的探测器要关注低温特性。

通信波段1310、1550是常用波段，对于1550nm而言，采用传统的InP衬底的InGaAs材料比硅基锗探测器有更好的响应度。《详见 2023合集》

锗对于1550nm波长，本身响应度就弱一些，到了低温就更弱了。

对于探测器材料而言，需要在特定的波段工作在吸收区，而非透明区域。

但是，温度降低后，材料的吸收区与透明区的界限开始移动，之前原本工作在吸收区的的芯片，可现在低温时变透明了。

锗的这个分界线处于C波段，所以要考虑低温的移动对于响应度的影响。InGaAs的界限比Ge的波长要长一些，低温的移动也不影响通信波段。

由于1550nm几乎处于锗的吸收/透明的边界附近，导致温度降低，响应度越来越低，灵敏度越来越差。

上海大学用了APD设计，这个呢，对于通信人而言，是非常传统的垂直性探测器的结构，倒不是什么新鲜事。

上海大学利用了一个互补原理，在温度降低时，Ge的响应度是降低，可是用硅做雪崩层的话，低温的雪崩增益会加大。

这次演示的新意在于，第一次做了-262℃的超低温实验数据，以前大多数是评估的-170℃左右。

在-262℃，Ge在1550nm的响应度R降低到0.0026A/W，可雪崩增益M达到1840，在APD综合考虑M*R的情况下，超低温下对于1550nm波段还是可用的。

主要是聊一下探测器的温度变化趋势，光模块在常规的商业用途中，不会用到这种低温环境的。