2024OFC，三菱发表他家用于50G PON OLT 1342nm的大功率EML集成SOA的芯片数据，目标是满足Class C+的应用。

给出的结构是四段式分布，台面的EML电吸收调制结构，与昨天写三菱的台面设计，与去年写博通和Lumentum的台面设计是一样的。通过降低RC常数提高带宽，通过增大限制因子Γ来保持TDEC，而DFB与SOA为了提高电光效率，需要降低限制因子Γ，所以这几段的设计目标不一样。

为了提高SOA的饱和功率，实现大功率设计，三菱、华为海思等厂家都采用了“锥形”放大结构，华为的设计思路之前写的比较多，三菱给出来的更多是简要描述，不过技术原理是通的。

●《2023合集下》 SOA锥形放大结构

 ●Y10T34 华为黑科技Class D模块，10G PON OLT的EML也采用了锥形放大SOA结构

●《ECOC 2023 PPT汇编》 华为50G PON 1342nm 15dBm EML-SOA，采用锥形放大的SOA结构

看华为去年ECOC的图，也是“四段”式的结构，比三菱的那个示意图看着更明白些。

PON领域的最大特点是低成本，华为和三菱不约而同的选择了TOcan封装，华为的结构之前写过一些，《2023合集下》 华为采用陶瓷基板与硅基板的EML TO布局

三菱基于TO56的EML 封装，在2021年演讲中给的还略详细一些，今年的示意图更更简化了。

EML的常用TO can封装案例，在2024年5月25号有一期案例分析汇总，可以关注一下。

三菱的TO56，同样考虑的射频性能，引脚的寄生电感，键合金丝的寄生电感，柔性板焊接导致的寄生电容，GSG过渡基板引线长度，高频信号TO玻璃体的介电损耗和介电常数，以及所有寄生参数中可一起谐振频率的LC谐振频点的控制，EML芯片RC谐振频点的控制.....这些都是高速EML设计及封装需要考虑的。

另外也会考虑光学耦合效率，EML COC以及透镜的距离，形貌，角度等等。

还需要考虑TOSA焊接点等弹性、塑性形变与耦合效率的控制。

TO还需要考虑气密型设计。

三菱做了一组对比，激光器Bias电流100mA，SOA分别作100mA，400mA两类设计，SOA 100mA用于较小功率的场景，SOA 400mA用于类似C+的超大功率预算的场景。

EML在PON的封装，是EML芯片--EML COC--EML TOcan--EML TOSA，是不同的封装阶段。

SOA 100mA和400mA做了COC的对比，在SOA 400mA是芯片中，进一步把COC封装成TOcan-φ5.6mm（就是TO56）做测试。

华为的EML-SOA，有DFB 100mA，SOA 100mA的测试，但坐标轴和三菱的不一样，我重新标定转换一下坐标轴，做个对比。