Y10T323 什么叫硅光芯片的“Free Space”方案？
继续硅光的议题，我们在看国内硅光模块时，发现有些厂家发射Tx、接收Rx都选择了硅光集成方案。但很多厂家的硅光模块，选择了一半，只有发射端是硅光集成的，Rx端不是硅光集成。
上一段话强调的是硅光集成，而不是硅光
嗯，标题是，为何有些厂家只选硅光Tx， 不选硅光集成Rx
标题可不是，“为何有些厂家只选硅光Tx， 不选硅光Rx”
咱们光模块的传统探测器结构是垂直入光的，有正向垂直入光，叫做正照式，有些是背面垂直入光，也叫背照式。
这种垂直结构的探测器，可以是三五族材料的，也可以是硅锗材料的，有些厂家习惯的把用硅锗材料做的传统垂直结构的探测器，也叫做“硅光探测器”，这没有问题。
只不过，行业默认的硅光集成的探测器，是WGPD，WG是波导的意思。
硅光集成的Tx端，有各种损耗，但是可以通过增大CW激光器功率的方式，来弥补Tx端的波导损耗，耦合损耗等等。就是前几期写的内容。
但是，Rx端的灵敏度如何改善，就很难了。这些损耗是实打实的。有时候选集成方案，就很纠结，得盘算盘算才醒。
之前写过一个800G的集成Rx，GlobalFoundries的，光纤的耦合损耗，写了tx，可以对照着看Rx，都是光纤与硅光芯片的SSC的耦合。
Rx集成方案，在以太网模块里，多了个啥呢？ 偏振分集，硅的波导大多数设计成了偏振敏感的结构，对于偏振不敏感的光纤传过来的信号，需要拆解。
偏振分集就是把俩偏振拆开，重新规划在集成波导里边的传输通道，结构以及传输速度，也就是DGD时延。
这么一些波导设计，有损耗。这是Rx比Tx更难的地方。
硅光集成的探测器，采用的是硅做波导以及雪崩材料，锗做吸收材料，俩材料需要搭配着来。
昨天写的内容，说浙大的暗电流很大，这不是浙大的问题，而是材料导致的，晶格常数不一样，原子和原子之间的键合就很容易“悬挂”结合补上。
Intel的APD，也是uA级别的暗电流
昨天对比了浙大的锗硅探测器与海思的三五族探测器的暗电流，再增加两组对照。
《2023合集》 三菱BH结构200G探测器
《2022合集》 武邮：单波200G IM/DD的硅光解决方案
《2022合集》 武邮单波400G 硅基锗探测器，
武汉邮电科学院、光迅、WTD、国家信息光电子创新中心，~~~，我都默认是一体的哈。
相比三五族InP/InGaAs方案，锗硅探测器的锗与硅的晶格不适配，导致暗电流要大两个数量级或者更多。
暗电流就是噪声，劣化了信噪比，灵敏度就会受影响。
这里边还有一个，就是膨胀系数的差异
晶格本身就不适配，有4%的尺度差，再加上热膨胀系数的差异，锗与硅的接触面，就非常容易导致“损毁”，尤其是APD，APD有雪崩增益，光电流是锗的响应电流x增益，电流增大。
线路的焦耳热量是，I2R，与电流的平方成正比，这个热量叠加上大的偏置电压，叠加晶格不一致，叠加热膨胀系数差异...., 可靠性风险就很大。
当然，这些问题，也有不同的解决方案，但总的来说，Rx要采用集成方案的话，意味着性能风险与可靠性风险。
性能风险，包括耦合损耗大，偏振分集附加波导损耗大，暗电流增大导致的灵敏度退化...，等等
可靠性风险，就是锗与硅的材料界面，晶格常数差异，热膨胀系数的差异
略聊几句闲天，解释一下。
老板又又又给我派任务了，2025年的一部分议题。