光模块有很多芯片，光学芯片，电学芯片，光学芯片的封装如各种OSA组件。电芯片封装如下图的塑封引脚结构或其他等等。
不考虑芯片的外封装结构，挪出来的chip，die，芯片内部的小颗粒，再进行光模块里的光学或电学组装，就有了好多的名词。这算个基础内容是吧，
以前写过，略整理一下，作为基础解析。
COB，chip 在PCB板上，多用于探测器端，或者多模收发端。PCB的树脂、铜的膨胀系数比较大，对光路的影响较大。探测器可有较大的尺寸冗余，多模的VCSEL也相比单模封装有较大冗余。可以选择COB。
另外，电芯片选择COB也是常见工艺，因为不需要做光路对准。
COC，chip on ceramic，基于陶瓷基板或者叫chip on carrier基于载板的芯片封装，是光模块最最最常见的封装形式。
陶瓷，具有刚性，没有塑性形变，对于光路的稳定性很重要。
陶瓷通常是很好的绝缘体，对于射频信号而言损耗极低，非常有利于高频信号的布线。
陶瓷中的碳化硅、氮化铝等，具有很好的导热系数，非常有利于激光器的散热。
对于高速单模激光器而言，氮化铝陶瓷兼顾了高速特性，单模所需的光路稳定性，以及与单模激光器InP材料所匹配的CTE热膨胀系数，简直是天作之合，氮化铝陶瓷与DFB、EML等器件组成了铁杆封装搭子。
当然，陶瓷基板也可以用在接收端，接收端对散热的要求不高，对刚性以及射频特性的要求很高。沿用氮化铝陶瓷可共享产业链。
硅光集成芯片用陶瓷基板的话，就比较麻烦了。考虑的优势是陶瓷基板的射频特性。
但是呢，硅的材料CTE要比InP低很多，所以封装基板的陶瓷材料的CTE要降低，一般选择掺入玻璃粉来降低膨胀系数。
其次是，硅光芯片的集成度高，需要很多布线，就不能用一层或两层布线来做类似激光器的陶瓷基板，需要做多层布线，采用共烧陶瓷。
所谓的共烧陶瓷，就是布线的线条与陶瓷一体烧制。会很麻烦，常规陶瓷的烧结温度1500℃，但金银铜线在这个温度下会被融化。需要考虑低温烧结工艺。
所谓的COP工艺，是边发射激光器，DFB或EML，需要接口电芯片的COB工艺，以及光芯片的COC工艺，对PCB的侧边工艺要求很高。
在硅基板上封装芯片，可以叫做CoSi，chip on Sillicon，或者SiOB都行。硅基板的好处是刻蚀各种结构，来放置激光器或光纤或透镜。
硅基板还可以集成电阻、电容等无源器件，降低材料成本与封装成本。
硅基板也是很好的导热基板。
但是，硅基板的射频性能不好，不适合高频应用。可以选择垫一块陶瓷基板来提升高速激光器的射频特性。
COG，芯片在玻璃基板上的封装，还可以细分为两类，无过孔的玻璃基板以及有过孔的玻璃基板。
有过孔的玻璃基板，比较难，过孔容易出现裂纹，过孔填充铜，铜与玻璃的CTE膨胀系数差异很大，容易导致应力。
玻璃的优点是射频性能好，透光。
无过孔的玻璃基板，相对好做，可获得透明性与射频特性的高速组装。
玻璃基板的劣势是不导热，硅基板、（有些）陶瓷基板可以实现高导热路径，但玻璃不导热。需要额外考虑热沉的布局。
再聊一个COW，在晶圆上做光电芯片的封装。
有几个原因，一个是速率越来越高，需要更细更短的电信号互联，这需要从传统的PCB的布线转移到半导体工艺的RDL布线。
其次是光模块所需的通道数越来越多，800G、1.6T、3.2T的光模块需要多通道的高密度3D封装，也需要在半导体厂做更高精度的组装工艺，来降低芯片布局所需的空间。
晶圆级封装还有一个好处，针对大规模生产，可以一次性批量制作，降低了制造成本。
COW的难处是，在更小维度里考虑材料特性，材料之间的应力，工艺的温度梯度与流程，翘曲....，牵扯的工艺更复杂。
后续的视频解析，会展开来更详细的聊一聊封装基板。
