咱行业经常会提到一些技术对比，3月29日，针对四组不同的热点技术对比做点分析。
9:00-10:30 热点解析 #1：CPO与LPO之争
现在AI人工智能对高速以太网光模块需求旺盛，但高速光模块的功耗很大，产业就提出来两类低功耗的光模块类型。一类是LPO光模块，另一类是CPO光模块。
LPO与CPO在交换机的位置不同，降低功耗的技术路线也不同。
LPO从面板横向插入交换机，CPO是从上方向下压入交换机，二者的连接方式与结构不同。
LPO与CPO的电信号连接长度有差异，二者的射频损耗以及信号补偿方式有所区别。
10:30-12:00 热点解析#2 ：铜缆模块与光模块之争
铜缆模块与光模块有相似的外型结构，有相似的应用场景，在部分应用领域存在竞争关系。
铜缆与光纤的区别很大，从传输介质来看，光纤的优点更多。
铜缆的射频损耗非常非常大，光纤的损耗极低，与材料本身的特性强相关。
铜缆存在射频趋肤损耗，介质损耗等等方面。光纤则存在结构损耗，弯曲损耗，吸收损耗，散射损耗等等方面。二者信号损耗的类别差异很大。
光模块的失效率较高，是其劣势，而铜缆的可靠性很高，是铜缆模块的优势。
14:00-15:30 热点解析 #3：SiPh与TFLN之争
行业还经常把硅光方案与薄膜铌酸锂方案做对比，在特定领域，用硅光调制器可以，用薄膜铌酸锂调制器也可以的。二者有相似之处，也有很多区别。
薄膜铌酸锂的调制原理与调制器的结构与硅光调制器有所不同。
铌酸锂是压电陶瓷，利用的泡克尔斯效应实现电光转换。
硅则是采用等离子色散效应实现的电光转换。
二者采用的不同调制原理，与材料的晶格结构相关。
对称分布的硅原子不具有压电效应和铁电效应。
非对称分布的铌酸锂原子具备压电与铁电效应。
二者材料的分布结构与调制原理，也导致了调制器光学损耗的差异。硅调制器波导的损耗主要是结构损耗与载流子吸收损耗组成，铌酸锂波导的损耗则经常遇到薄膜化结构的电极吸收损耗增大的风险。
硅的光学折射率与铌酸锂的光学折射率不同，在采用同样包层材料的前提下，二者的光场尺寸有差异，其光场限制了射频带宽的优化难度。
15:30-17:00 热点解析#4 ：IM-DD与Coherent之争
IM-DD广泛用于数据中心的以太网光模块，相干通信则用于DCI、城域以及骨干网的传输。二者的通信调制与解调方式差异很大。
