8月8号的上午，光芯片的封装案例与失效现象。

聊一下DFB封装的案例，以及DFB边发射激光器的失效现象。DFB包括直接调制的DFB以及无需调制的CW 连续波DFB激光器。

直调DFB需要考虑调制速率，PN结宽越来越窄。

CW连续波DFB不需要考虑调制速率，需要考虑最大输出功率，PN结的宽度尽量宽为了提高功率，但PN结的宽度也不能太宽，太宽的话就很难保持单模了。

用在不同场合的DFB激光器，无论是高速率的还是大功率的，都需要考虑封装的光学稳定性、PN结的结温控制，废热处理与封装散热路径设计。

高速的EML，重点考虑封装对射频带宽的限制。从WB向FC发展。从分立封装EML的传统产业布局，向混合集成的3D封装技术探索。

高速VCSEL，考虑结温，考虑氧化工艺在高速和阵列化封装中失效率的控制等等。VCSEL芯片从多模向少模单模发展，孔径向更小直径发展，波长向长波长发展，工艺从氧化向非氧化探索。 VCSEL的封装从WB向FC演进，从单芯片向多芯片阵列发展...

高速的探测器包括PD与雪崩放大型APD。

PD与APD的封装需要考虑光路耦合，包括垂直光路与水平波导型，垂直光路包括正面入射的正照型PD以及衬底入射的背照型PD，封装工艺有差异。

水平波导型包括偏振敏感与偏振不敏感等多种类型，通常光路耦合精度要求较高。

PD与APD的封装需要考虑封装引起的带宽受限。

APD的雪崩放大需要考虑额外的雪崩电压的控制，以及接近二极管击穿电压的雪崩工作区如何设置实现雪崩增益与可靠性的权衡。

ok，8月8号通过封装案例来解析不同光芯片封装中光机电热的处理思路与失效风险。这三个小时的案例以三五族InP芯片或者GaAs芯片案例为主。

硅光芯片的封装案例是放在8月22号上午，也是三小时。

可详询菲魅18140517646