8月15日上午的内容
硅具有电学与光学特性
硅是典型的半导体，现在集成电路的主要材料是硅。
硅在特定场景是透明的光学材料，硅对于850nm不透明，但对于1.1μm以上的光是透明的，如1310nm（1.3μm）、1550nm（1.5μm）等光通信的工作波段，硅具有光学透明的特性。
硅是半导体，氧化硅是绝缘体，加上金属，形成电学器件的三要素，可设计PN结、NPN、PNP、CMOS....
硅（在光通信单模波段）是高折射透明材料，氧化硅（在光通信波段）是低折射透明材料，形成波导设计的两要素。
以上的电学与光学，需要的是硅与硅的氧化物，而硅的氧化物很容易与硅结合。
再来对比各种波导结构的高低折射率材料的选择。
以上一个光通信常用的波导中，硅波导是最小的，意味着可具有小尺寸的芯片优势。
在以上可以用于光纤通信的波导材料，InP和硅既是半导体又是光学材料，在光学器件里可以充分利用半导体的优势来制作小型化的电光/光电器件。
当然，InP和硅都是半导体，但略有区别。 InP是直接带隙半导体，硅是间接带隙的半导体。
半导体InP材料可以做激光器、探测器、调制器。
半导体的Si硅可以做调制器(纯硅）、探测器（需要增加锗），无法做激光器。当然半导体硅与半导体Inp异质集成可做混合集成激光器。
两个半导体光学InP与Si相比，
InP是化合物半导体，工艺复杂，晶圆尺寸小，良率受限，成本很高。
Si是单元素半导体，晶圆尺寸最大，“未来”具有低成本潜力。
现在的发展趋势是硅光作为一个集成光学的平台，能自己做的就自己做，需要优化性能的，就采用硅+x的技术思路。
硅与InP（或III V族的GaAs）做激光器、SOA等
LN铌酸锂的薄膜化，可提高调制器的带宽。薄膜铌酸锂层通常选择附着在硅的SOI层上，这本身就是硅基TFLN的集成。
硅的温漂系数比较大，而氮化硅很小，在硅上沉积氮化硅波导层，可实现低温漂的无源器件设计。
从技术发展思路来说，Si+x可增强硅光集成光学的优势，同时也有很大的技术挑战，需要产业不断优化。
ok，写个简单的前言。