在OFC2022年的PPT汇编的第115-117页，写过ETRI 200G EML的封装，今年在此基础上做了优化，70℃带宽可达到66GHz

依然利用的是峰化电路来提升带宽，今年旭创也利用了峰化电路的设计理念提升带宽。

Y9T63 旭创硅光集成800G ZR 相干性能优化

有几个改变，第一个是EA的电吸收区长度，从去年150μm，降低到100μm，脊型宽度也降低了。这是把结电容降下来，提升带宽。用的还是BH掩埋结构，这倒是没变。

键合金丝的长度也变了，从之前的第一段150μm长度，降低到110μm，这需要GSG信号的高度与EML高度基本匹配才行

所以，ETRI在硅基板上放了个柔性PCB，厚度降低，用于适配EML的高度，降低第一段的金丝长度。

局部放大，键合金丝第一段长度与封装带宽的关系巨大，总合集2021开始，我们写了好多不同厂家的台阶设计，降低金丝长度。昨天则是采用过渡基板Flip Chip方式来取消第一段金丝，提高带宽。

ETRI这次把端接电阻也改大了一些，适配了40Ω和45Ω，并配合金丝，观察振荡峰化的值。

采用非制冷设计，三温的PI曲线如下，70℃时，性能退化的还是挺严重的。

对比一下，Y9T75 博通200G EML

ETRI的效率比较低，尤其是高温的效率。我的观点是勉强取消TEC做非制冷的话，压力还是挺大的。