Y7T67 旭创高速集成的硅锗探测器
首先，他家的探测器是垂直入射的，带下划线的，可以直接点击进入链接
Y7T60 解读旭创第三个750微米间距Zblock与250微米间距探测器的光学处理
Y7T58 解读旭创一个750微米间距Zblock与250微米间距探测器的光纤扇出
Y7T59 解读旭创第二个750微米间距Zblock与250微米间距探测器的变焦透镜组
垂直结构，与水平结构，各有优缺点，在Y6T363里聊的很清楚了，不赘述。
现在的高速探测器的垂直入射，用的是台面结构，为什么是台面，可以看Y6T109
把台面的部分，局部放大， 能看到各种结构，主要是PIN型，或者插入一层雪崩层，今天先只用PIN型结构来解读旭创的思路。
能够产生通信波段吸收的有两大类材料，一是InGaAs，二是Ge锗，具体原因看2019年的这两个解析，也不赘述
Y5T60 为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压
我们现在的硅光集成方案用的多，用硅基板，或SOI基板（硅+氧化硅+硅的结构），来做探测器的话，能做独立的，也能做集成的。
如果是硅做基础衬底，三五族材料的晶格不适配，很难做，需要非常复杂的工艺，且可靠性隐患很大，要额外处理。比如下图的几个硅做衬底，三五族做吸收层的探测器。
硅做衬底，锗做吸收层，就比较容易实现，但是呢，灵敏度不太好，噪声大。
原本高速探测器的垂直结构，牺牲的就是灵敏度，大家已经在想各种办法来优化灵敏度了，尤其是硅上锗的结构，就更需要优化灵敏度。
为什么高速探测器的垂直结构，需要牺牲灵敏度的性能，咱一层层剥离，看锗是吸收区域。
对垂直入射来说，降低吸收区的面积也就是光敏面，且降低厚度，是提高速率的主要方式，原因如下，
提高速率的必须的，那么优化的前提是不能改变吸收区的小而薄的现实。那么就有了很多方式。
一： 利用金属的反射，让那些没有被吸收的光，重新回到吸收区，提高吸收效率，也就优化了灵敏度
这里头有两小类，第一是用背入射，顶部电极做光反射层，如之前提到的设计。
这样的话，就不需要常规的正入射的环状电极，Y6T354 解读光模块探测器电极结构
且背入射，还能额外的刻蚀个透镜，提高一下生产的冗余量。Y6T214 解读8*50G光电封装
或者，还是正入射，但是衬底掏个洞，镀金属，让光在底部反射。
二： 做光栅，比如VCSEL里常用的DBR两组光栅，就是为了做反射，形成谐振腔，在探测器里做一组DBR形成光的反射，替代金属，做反射，也能提高灵敏度
做法，就是硅--氧化硅--硅--氧化硅--硅--氧化硅--硅，一层层叠加在一起，就行。
终于要进入正题了，旭创用的就是光栅反射，优化灵敏度的原理。以前也写过。
旭创的光栅，是用氧化硅来做，条形或者环形光栅，都可以。
旭创的数字，锗的高度，450纳米，光栅的高度250纳米，光栅周期680纳米，光栅的占空比0.54
2020年的纸质版，有了，挺贵的，有兴趣的话，再买，其实读电子档也挺好的，虽然有点费劲，翻来翻去的找半天。
