Y7T88 亨通高频COB金丝键合屏蔽处理
Y7T87 聊一下亨通那个硅光400G DR4昨天写了一下亨通那个400G模块，里边提到EML封装大框图，顺着再聊一句他家的高频信号处理和海信家的不同
EML，以前写的不少了，目前来说常用对接生长，中间做无源波导隔离，EA端是高频，DFB则不需要高频，P415，写这些内容。
昨天还有一个留言，问，为什么EML有些是非制冷，有些需要制冷，这和EML中激光器的光栅与增益的温度系数，以及电吸收的温度系数有关，P411是温度相关的内容。
业内常见的方式，是EML做COC，我今天都不画背光探测器了哈，省点时间说正事
高频基板要和电路连接的部分，用GSG的信号布局
这是为了找信号的回流面，降低电磁辐射，提高信号质量。
PCB的LDD 芯片的高频部分也是GSG，这是单端分布，或者G-S-S-G，中间的两个S（signal）是差分信号。
裸芯片和PCB做COB，引出高频信号线到PCB的边缘，准备做COP
接着COC的激光器，置于TEC上表面，间隔分布需要控制，高度也需要精准控制，EML的出光和透镜的中心轴要对准，COC陶瓷顶部与PCB顶部高度一致，
COP是用金丝做键合，一组一组的键合丝，并没有PCB的GSG信号回流和阻抗匹配，也没有陶瓷基板的GSG回流路径阻抗匹配，这些金丝之间在几组高频信号之间会引起串扰，
尤其是他家线性跨阻放大器，每组信号之间（椭圆的是信号，中间用GND隔离）只有300微米，比发射端的间距窄的多，金丝键合四组信号间更容易产生串扰
另外，亨通的硅光探测器，是硅做波导，锗做吸收，在合订本的P154写锗硅探测器中硅和锗之间的界面的可靠性分析，以及硅和锗含量不同时的暗电流，另外5月份直播里会特别聊一聊为什么硅光探测器的暗电流噪声比磷化铟要大一些。
总之，硅光探测器而言，本身的噪声很大，信号之间的间距很近，光电转换之后的电流很弱，在有串扰的前提下，会极大的劣化灵敏度，（这是昨天的一个留言，为什么他家的DR4用硅光探测器，而FR4用磷化铟）
无论是发射端，还是接收端，我把GSG用金丝键合的示意图做一下，金丝是悬空的，没有回流面，导致了极强的空气辐射，对信号之间产生的串扰
P484页，写了海信的抗串扰设计
亨通是准备用一个金属桥接，做正面GND，对每一组信号金丝保护起来
因为他家做硅光，硅比陶瓷容易深度刻蚀，在之前写了很多硅的三维结构设计，不赘述，刻蚀V型槽
表层镀金属，整片电极，用于连个GND，做金丝的信号回流
