Y7T112 InP调制器的电容式电极

更新时间：2021-04-22 09:04:44 阅读量：912

昨天写新飞通硅调制器的行波优化，后面准备些新飞通InP调制器的行波优化，他们是电容式行波电极的二次优化，需要写个前提，电容式电极要解决什么问题。

行波调制如昨天所说，Y7T111 新飞通高速硅光调制器行波调制的优化，二者的速度要适配。

电极的速度，宏观上与介电常数有关，分解到相速度的话，与单位长度的寄生电感和并联电容有关

采用电容式结构，是为了微调速度，有个F，是调整系数，如下图

InP调制器，我们写过NIN，NIPN的结构，在合订本里有，这些天写新飞通，他家是PIN结构，回头我细化一下具体结构区别。

PIN的简要分布如下

在波导顶层P电极与底层N电极，经过反偏进行折射率调制，两个顶层的P电极是差分行波电极的电容式分布，每一个小段也有一个电容

这个寄生的电容，用在差分电极上的，分在一个电极，用二分之一，那△C与F有关联，而F就是电容式分布电极的占空比，通过设计不同的占空比，就能微调电极的速度。用于行波调制来适配光的速度。

在Y7T111里，电快光慢的特点，昨天有一个优化。

今天的电容式分布，增加一个电容，用于降低电的速度。

同时，通过调整占空比，也能微调速度。