Y7T137 旭创400G DR4的EML芯片结构

更新时间：2021-05-17 10:05:37 阅读量：1071

昨天聊的是激光器和调制器，其中聊到旭创的400G DR4的一个结构

图片是Yole和SYSTEM Plus五一公布的，网址在下方

这个EML的结构，我在合订本的第573页写过，三菱在2018年就介绍过这种结构的激光器细节

我结合Yole给出的微弱信息，自己画一个理解型的示意图，电极分布如下，波导区域是两侧各做了10微米左右的沟槽，下图从右向左分别是DFB、隔离区、EAM和SSC的模斑转换

去除电极，看下沟槽，EAM最细，小于2微米，DFB和SSC的波导区域较宽，约30微米，

我把中间的波导抠出来，DFB是增强型的，但并不是有源层也这么宽（有源层要窄，保持单模特性），电吸收波导的窄是需要降低PN结电容，提高调制速率。

SSC模斑转换，先通过两级锥形过渡，在扩斑，（厚度上也要扩），目的是减少发散角且降低反射。

DFB沟槽刻蚀较宽，但波导区域仍很窄（下图右侧DFB区域的红色是波导），蓝色的部分没有光学特性，是用来做电学的载流子限制的。