Y7T161 GF的激光器与硅光集成芯片的组装

更新时间：2021-06-11 08:06:37 阅读量：1092

GlobalFoundries有两个硅光平台，一个是基于90nm工艺的，另一个是基于45nm射频工艺，用于未来的高速硅光集成。

45nm工艺的参数，在合订本的第134页和135页

45nm工艺用SOI，但SOI的顶层硅是做了两个过渡区的，下图左侧是CMOS的传统工艺，硅层厚度88nm，下图右侧则是硅光部分，硅层的厚度不是大多数厂家的220nm，而是160nm，用于电和光的兼容，且降低高度差。

上图调制器区间，P型和N型是不对称的，那是因为他家用了指插型的设计，提高载流子控制效率

今年的OFC，GlobalFoundries给了激光器与硅光芯片的键合工艺，选的是倒装焊

这样，激光器既可以是独立芯片，当然也可以是混合激光器，III V族做增益，硅设计谐振腔，他家的三五族结构的设计是和新飞通一起定义的。

GF家的硅光区域做台阶，且引出金属互联层

我局部切片来看，激光器与硅光结构部分同步刻蚀台阶，激光器衬底低，硅光的部分做凹陷

激光器翻转，倒装与硅组合

在焊接前，激光器是放置于焊料上的，这时候调整xy方向，找到光学对准点

高温，焊料熔融，坍塌，这时候是由硅的台阶来做Z轴高度控制，用于将激光器三五族波导与硅的耦合端做上下对准。

激光器芯片，或者增益芯片，完成xyz三轴稳定。