今年OFC,IBM发布硅基异质集成的三五族探测器,如下图,演示了50Gbps NRZ的信号,用的是波导端面对接,硅波导与三五族的吸收层对接。暗电流极低,反偏1.5V,暗电流只有0.22nA,不过响应度不高。
尝试恢复一下看,光输入端是通过垂直耦合光栅,导入,硅波导长度300微米,这也是收端损耗比较大的一个原因,下一步不知道IBM如何去解决。
他们尺寸的相对关系,早上做了一个视频,看一下。
圈起来的,里边那个小黑点,就是探测器本器,
放大,宽度400nm,高度220nm,
用的他家的辅助模板局部外延生长,Y7T8 IBM硅基TASE异质集成三五族工艺
可以长激光器,Y7T51 IBM硅光异质集成横向注入激光器结构
当然也可以长探测器,就是咱们本文,他家的TASE辅助模板工艺流程如下,先在SOI的顶层硅上刻蚀出将来要做三五族的空间,然后覆盖二氧化硅,局部开口,将内部的硅腐蚀掉,借助这个二氧化硅形成的空腔,外延生长三五族材料,最后掺杂,金属接触,完成。