25G PON的IEEE标准,半年前发布的,50G PON的ITU-T光模块物理层标准预计今年能发布
IEEE的速率最大25G,实现50G是依赖俩波长,每个波长25G。
ITU-T,则是一个波长,50G NRZ,这个写过,今天不赘述。
只要是PON向下演进,要兼容老用户,就得共存,整个的发射端功率越来越高。
这时候,波长规划,能分给他们的波段,都不太好,Y7T205 《光的力量10》波长规划
因为之前的波段已经被占用,现在能给的,只是挑一挑勉强能用的,色散也大,损耗也大,导致链路的难度更痛苦,Y7T205,也写过,OLT的波长是要做牺牲的,要先让ONU挑。 这个关系,就是OLT的波长,最难,功率最大。
在25G IEEE的定义,和50G ITU-T的 OLT波长定义里,已经考虑了重用产业链的事情,有一个1340-1344nm波长是重用的。去年华为的演示,用了1341nm的激光器,为了增加功率,选择了外置一个SOA半导体放大器。
今年NTT,把另一个波长,1358±2nm的EML也发布了说明,与华为不一样的,是直接集成SOA
DFB的长度250μm,(华为DFB长度400μm)
EA的长度160μm,(华为EA长度125μm,更短,是为了带宽更大)
SOA的长度175μm,(华为无,外置SOA)
在调制器,特点,高频,吸收区热量积累不大,用绝缘材料来满足高频/低热的应用。
在DFB区,直流,电流大,热量积累大,用高导热材料(半绝缘InP)来提高导热路径,同时也通过半绝缘材料,起到一定的载流子限制作用。
内部的量子阱层设计,基本相同,只是组分略不同,DFB区域SOA放大区,InGaAsP组分一致,红色增益区。波长一致。
电吸收的紫色区域,也是InGaAsP,组分与DFB略不同,将二者的波长做几个nm的偏移,以便通过外加电场来控制DFB波长的透射/吸收的比例。