Y7T224 超低暗电流的锗硅探测器
Y7T220 Intel 8Tbps co-packaging硅光集成设计
接着聊，Y7T220的Intel的CPO方案用的是Ayar Labs的硅光芯片，T222写了调制器结构，在调制器里的微环，是无源的。而探测器的微环则是有源的。
常见的微环调制器，环做PN掺杂，用于调制，他家的PN掺杂在微环外，环仅仅用来做耦合通道。
常见的探测器，环是无源的，仅仅用来做波长分离，有源的部分是在波长分离后单独进行。
他家的探测器的环，是有源的，在环上吸收光，且无偏压，超低功耗，暗电流比常规的锗探测器小300倍，另外不需要TIA，利用了太阳能电池类似的光生伏特效应，开环电压比较大的特点，直接驱动ADC或者LA，无需TIA跨阻放大器来做电压驱动的转换。
为什么可以0偏压？ 其实有反偏电压的情况下，灵敏度和带宽会更好，只不过反偏电压，就存在PN反向漏电流，也就是咱说的“暗电流”，这个暗电流在探测器里属于噪声，当然是越小越好。 降低反偏电压，就能降低暗电流。
可常见的波导型探测器，0偏压下，响应度太小，在微环结构里，对特定波长会形成“回音壁”，产生共振，响应度大大提升，弥补了0偏压下普通结构的暗电流大，响应度低的劣势。
局部放大，P型半导体和N半导体，是辐轮状的间隔分布
再局部放大, 电学的P型N型分布，以及光学的锗硅区分布
这个设计，优点是暗电流小，开环电压高，功耗低
劣势是响应度小，但可以通过环形的共振效果来弥补一些。
劣势之二，带宽小，AyarLabs通过对锗硅区域掺杂，提升了一部分，从以前的几个GHz，可提高到>14GHz，也就是能用在25Gbps的信号探测上。
虽然带宽有所优化，但在目前各家有50G、100G的探测器里，目前的25Gbps还是速率不算太好。
低功耗，且耐高温（130℃），是数据中心的co-packaging里比较在意的两个技术需求点，也许对此要求更迫切的话，能降低对速率的要求？
8月21日，OFC技术解读，客服18140517646
9月11、19、25号的光模块/器件/芯片的议题，也排出来了。