Y7T252 激光器与硅光芯片的耦合
今天是T249的姊妹篇，还是剖视图，我们光纤通信的单模光纤可传输的1260-1650nm这个波段，增益材料无非就是两种，InGaAsP或者AlGaInAs，与增益材料可以匹配晶格的就是InP了，用他们来做P型、N型半导体的电流注入通道。形成光电转换的激光器。
用硅来做光波导，要想维持单模，就得缩小波导尺寸才行，一大就成了多模，传输性能严重受限。 硅波导的厚度很多厂家设置在220nm，在T249，我们也看到了很多用于耦合的模斑转换的侧剖面图。
硅是间接带隙，发不了光，目前在光模块中还得指望InP做激光器单模光源。
InP光源，硅做调制器，这就意味着需要二者耦合。最简单的，各自做，然后用一个透镜来聚焦，耦合。
思路简单，难处就在于，硅波导太小了，需要高精度耦合设备，还得考虑高低温封装材料的膨胀系数不一致导致的光路相对位移
另一种方式，咱们很常见的激光器和光纤的耦合，这是光器件的传统，而且反正硅光芯片都要和光纤做耦合的啊。
光纤是能弯曲移动的，两端各自耦合，这倒是迁就了产线工艺。付出的代价就是耦合损耗很大。
比如合订本的第571页类型
有些厂家，把激光器独立封装，再盖个内斜形面的金属上盖，光从水平转为垂直，把硅光芯片的光输入端用垂直耦合光栅来做。也挺好。比如合订本第581页后的立体图
好处是激光器可以放在硅光芯片的上面，另外一种是激光器先贴在上盖，经过光路转换后再通过微透镜聚焦在硅光芯片的垂直耦合光栅上，上下俩图异曲同工。
还有一体成型的，在硅的衬底上刻蚀出相对高度台阶，把激光器倒扣下来，因为P型层是生长的，高度精确，而N型INP衬底是减薄的，厚度误差很大。倒扣后激光器的波导高度，和硅光芯片的波导高度，通过硅衬底的各种台阶来保障Z轴耦合精准度，现在用的挺多的。比如合订本第410页，第642页的类型
如果能把激光器和硅光芯片的波导，封装的足够近，也可以辅助激光器前端的一个结构微调，不用透镜，也能使用。好处是终于可以不用透镜了，那个挺占地方的。
再就是硅和InP异质键合，在硅光片子上形成混合激光器，InP做增益层（且没有原来的InP衬底，厚度很小），谐振腔用硅来做，可以用光栅，也可以用微环。
好处是，足够小，光的耦合效率很高，难处是InP和硅的晶格不适配，且用氧化硅做键合层，他们的热膨胀系数差异非常大，有可靠性风险
