Y7T256 Intel 纯硅4x50G NRZ 收发集成硅光芯片
在前些日子，我们写了几篇Intel的新的硅光集成技术笔记，他们总有一种想法，要抛弃锗这条线。
原因也很简单，能对光纤通信产生吸收的，常规的单光子吸收，无非就是俩常用材料材料，四族的锗，和三五族的InGaAs，
和硅光集成能搭配的探测器材料，通常是锗，硅做波导，锗做吸收。
其他家的工艺，还好，一般激光器不集成在芯片里，独立激光器的居多，Intel的激光器是集成在硅光芯片里的，
意味着，他家有两组工艺平台，一组是硅和InP的，用作发射端，另一组是硅和Ge锗的，用作接收端
很长一段时间，他家的芯片，Tx是一个，Rx是一个，因为工艺环节不一样。
在2020年，Intel先试了试水，用纯硅激发双光子吸收，用来做激光器的背光探测器。
在2021年，上半年发专利，用纯硅探测器做ICR，如果不行可以搭配发射端的硅和InP做个SOA来帮忙。
下半年，欧洲光博会发论文，用纯硅做探测器，ECOC是今晚下午开始，开三天，咱们到时候听听他们的解读。
用微环级联起来可以做发射端的合波，以及接收端的分波，在2020合订本的第667页，有原理，不赘述，最大的好处是体积更小。
今年的OFC，也看到Intel和他家投资的Ayar Labs的10个微环级联的调制器，以及级联的探测器，和以前的微环滤波+波导型探测结构不同。（这些3D图，都放在9月25号的硅光集成议题里。）
Intel这个结构，同样的采用了微环滤波且探测的更紧凑的设计，和2020的那9个环，其中4个做功率探测的设计，思路基本相似，只是用法不同而已。更紧凑的设计，在将来的数据中心的CPO封装里挺有优势的。
发射机与接收机之间，做了一个2x2的开关，可以切换左右两侧的发射或者接收的光通道，也可以支持自回环检测，很方便。
这个片子，是用28nm工艺做的，NRZ可以跳到50G bps，目前最快的。
利用双光子吸收的纯硅探测器，温度敏感，功率敏感，噪声也很大，都需要额外处理，不出意外，Intel应该是有一个同样结构的参考机，用来做电压平衡，暗光下的噪声电流提取，在运放中把提取的噪声电流减去
双光子吸收的纯硅探测器，响应度不如锗硅的，两种方式，第一种是加SOA，在前边写过了，另一种就是用微环谐振来增强响应度，就是今天这个还有OFC的Ayar Labs的那个。
字多没图，是需要等ECOC开起来，才能看到更多的细节。
25号，硅光集成详细议题，咨询我同事即可，18140517646