Y7T266 华为：数据中心内部800G方案
上周，华为在ECOC有个报告，对数据中心内部，也就是2km以内的800G光模块的方案倾向性。
800G 小于2km传输，先说结论
一：使用IM/DD直调直检，而非相干。
二：使用热插拔，而非CPO
三：使用200G/通道，而非其他
四：使用PAM4格式，而非其他，如PAM6等。
先论述，200G/通道的光信号速率是一个大节点，电信号可以是100G或未来提升到200G，这个光学通道速率可支持到下一代热插拔的800G，以及下下一代的OBO/CPO封装的1.6T应用。
原因是，采用直调直检成本低，且200G/通道，光学器件少，成本低且功耗低。
4x200G IM/DD，性价比最高。比相干的性价比高，也比单通道100G的性价比高。 （国华备注，这个结论与Intel不同，Intel的激光器是集成在硅上的的，成本计算方法不一样）
接着华为论述，在2x400G，PAM4格式的光学优势更明显，国华备注：华为的这个结论和之前咱们写的Broadcom和Inphi不同
单波200G的产业链可实现性，
高带宽的光电器件，DSP的FEC以及调制格式（格式已倾向PAM4）
FEC在400G，采用了级联方式，在800G要做超级级联，来增强编码增益。
单波200G，各个节点的带宽很重要，不过单一功能的带宽，产业链基本有产品提供，具备推动成熟的产业基础。
另外，要关注通道间的延时，以及噪声。
800G的4x200G方案，不能选用传统的器件封装方式①，目前400G光模块的封装以②为主，将来800G要以③为主。
第一种类型，传统结构，DSP独立封装，光器件独立封装，通过柔性板连接。电信号的连接距离长、节点多，不适合更高频的封装应用。
高速光模块，电芯片很多是裸Die，做chip on carrier/PCB/Galss等等，缩短距离，降低高频电信号衰减。
光芯片也做非气密的COC/COP/COG/COS等封装，取消柔性板，降低电信号传输距离，减少电磁波的反射节点。
进一步的封装，模拟电芯片驱动芯片/TIA等，靠近光芯片，且不用金丝做过渡，采用中介板，比如GSV、TSV等。前几天写过的。Y7T257 带TSV的硅光集成中110GHz下的高频仿真与建模
