Y7T268 GF可用于200GBd的锗硅PD

更新时间：2021-09-25 08:09:37 阅读量：992

GlobalFoundries在他家45nm的硅光平台上，可以做电芯片和硅光调制器、探测器等等。

ECOC2021 集成了TIA和PD的设计，其中TIA带宽可超过80GHz，探测器带宽也超过80GHz

结构如下，锗以凹陷式结构在硅上生长，P型接触和N型接触都在硅上，与Intel、IBM等不同。顶层硅高度160nm

反偏电压2V，1310nm波长响应度0.87A/W，实测带宽大于80GHz，受限于测试仪表上限，根据曲线拟合，实际的3dB带宽可达100GHz

在大于80GHz的可用带宽下，能支持到200GBd的未来发展，昨天Y7T267 海思：超高带宽（相干）光模块的发展与缺陷，海思认为2025-2026年，按趋势产业链会更新到200GBd的时代，GlobalFoundries的TIA和PD，可用于下一代更高带宽的场景。

GF在这一代的45nm工艺里，与上一带45nm不同，模拟芯片设计，没用传统的npn型的双极型设计，而是采用了nFET结构，电源电压从1.8V降至1V，主要是输入电容降低，提高了带宽，从90GHz的第一级TIA带宽，拓展到138GHz，再与100GHz 带宽的PD级联，总体链路带宽可实现未来200GBd的需求。