Y7T303 基于InP的偏振旋转

更新时间：2021-10-30 10:10:18 阅读量：683

InP的带宽较大，在合集2021上第479-487页，分别有新飞通、NTT、住友等厂的800G基于InP相干的一些处理方式。

比如住友，我们也写过他家800G的耦合系统

Y7T271 住友800G IC-TROSA的二阶耦合透镜


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在Y7T259 IC-TROSA写TROSA的标准，要紧凑小型化的封装，硅光集成的偏振旋转，写过一些，基本上也是在集成芯片里处理。但带宽不够大。

InP的带宽大，可偏振分集旋转等处理，还是分立体系，占地面积大，耦合复杂，这两年，基于InP的一些偏振处理也开始提上日程。

写两个结构，一个是HHI的，是在InGaASP上直接刻蚀，前端加氮化硅，基于模式演化长度是1200微米。2019年的文章。


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2021ECOC，东京大学有一个700微米长的设计，将TM旋转后，进入MMI分功率结构，左右各旋45度，形成一个对称结构。


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模式变化是和宽度相关的，从2μm逐渐扩宽到3.2μm时，完成旋转后，进入4.3μm宽的MMI


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东大这个结构与HHI不同的是，可以兼容现有的调制器或ICR的InP波导，没有刻蚀InGAAsP，而是在InP上做脊型刻蚀。


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通过上包层InP的脊型刻蚀，在波导InGaAsP层，形成波导光场限制


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