Y7T322 富士通发布薄膜铌酸锂调制器
更新时间：2021-11-18 10:11:23 阅读量：1036
上月底，富士通发布了他家的薄膜铌酸锂调制器，这算是业内第一个薄膜铌酸锂产业化的新闻了吧。
富士通铌酸锂调制器发货量最大，
而铌酸锂最大的劣势是尺寸太大，导致很难和半导体的InP以及硅调制器来做尺寸上的比较。
好处是线性度高，且不用搭配TEC来稳定温度效应。
这次用的薄膜调制器，按照披露的结构来说，是X cut，脊型刻蚀的铌酸锂薄膜，下图粉色。
薄膜铌酸锂尺寸比体材料的结构要小很多，以前写过，富士通发布的新闻是可以少60%，这样就能装进HB CDM的最新标准尺寸。 波特率128GBd，用于800G相干。从人家InP体系里尽量再夺一份市场份额。
Y7T255 用于800G相干的HB CDM2.0的1,2,3类封装区别
大概率，富士通在脊型X cut的铌酸锂薄膜上，做了覆盖层，增加覆盖层可提高电光效率的原因可以参考清华大学的论文。
看一下切面结构，通过上下两个低折射率的覆盖层的结构设计，能拉近金属电极的距离，且降低金属对光场的吸收，提高电场的调制效率。进一步压缩尺寸。
在铌酸锂体材料结构汇总，抑制DC漂移，是通过缓冲层来实现的。但是在薄膜设计里，只有缓冲层来抑制漂移，就很难了。
富士通大概率是改变了中介层的设计，在二氧化硅中掺入混合材料（可能是氧化铟？？），利用中阶层和缓冲层两个材料体系共同作用，抑制薄膜结构的DC漂移，且设计为负漂移，来增加可靠性。
