Y7T343 InP调制器的电极结构
合集2021上第438页，主要是聊的800G相干InP调制器的PN变化。里边提到了一些电极分布
今天把电极分布，略汇总一下。
相干光模块的IQ调制，拆解下来基本结构是四个MZ调制器。利用波导两侧的折射率变化来实现相位控制。
切面结构以典型的PIN波导分布为例，（当然2020/2021合集有PIN浅刻蚀，深刻蚀，NIN，NIPN等波导结构，不是今天的重点。）
早期，是用CPW，共面波导结构，也就是咱熟悉的GSG分布，光学封装中见到很多。
CPW的共面波导有很多好处，高速率，且高频损耗小
比如2020合集484页EML COC封装GSG电极分布
2020合集546页 高速探测器的GSG电极，以及探测器TO can要考虑GSG的引脚分布设计
2020合集555页，卧式EML的TO封装引脚GSG分布，过渡基板的GSG分布
2020合集555页，竖式EML的TO封装引脚GSG分布，过渡基板的GSG分布
但是在更高速的行波电极设计中，（合集2020第349页，合集2021上345页等各种艰难匹配），需要匹配电信号的行波速度与光信号适配。
光的传输速度，与光学折射率相关
电信号（RF）的传输速度，与介电常数和电极分布相关，同时，高频电信号还需要考虑阻抗匹配，这用CPW的共面波导结构就比较难，因为很难同时满足RF电行波速度与阻抗均适配。
这时候，就又回到传统的微带线， 不做GSG的射频波导设计。而是专注于行波的速度和阻抗的双匹配设计。牺牲的是高频损耗
截面结构如下
这种CPS的结构，带来另一个额外的优点，可以把MZ两臂波导的距离拉近，允许更高集成度的设计。
在这个结构上，又继续提出容性负载，CPS结构，主CPS内侧间隔做分布电容的第二CPS结构
通过嵌套的两组CPS电极，可以调整容性电极的占空比，更从容的调整行波速度和阻抗的双适配。
波导与电极的截面结构如下。
