Y7T354 华为四电极硅光微环调制器
微环调制器，写过很多，Intel、AyarLabs、HP等
....
硅调制器用的间接电光效应，Y7T347 铌酸锂、InP和硅调制器到底是个电光效应？
以前写过华为的MZ结构硅光调制器，
Y7T297 拉瓦尔大学&华为：120GBd 32QAM 纯硅调制器
今天写一下华为的硅光微环调制器中的一种特殊四电极结构。
微环调制器，Intel写的比较多，他家有两个版本，早期版本，P电极和N电极分别是下图的①和②，这是直接引出后连在一起的。③和④是加热电极。
第二个版本做了优化，①和②依然是P和N电极，③和④是加热电极，改变了分布结构，P和N调制电极比早期版本更好的接触，主要是因为把加热环移出去，移到波导的上方，就不用占用地方了。增加调制效率以及分离加热区域。
把加热的部分先排除，暂不考虑。那Intel的PN两个接触就是单点引入。
从这里展开正文。
盘状，或者环状，区别不大，主要是脊型波导，和刻蚀后的浅台面做电路通道。
常规工艺，如下，大多数是这个参数，也有其他的。
常规的掺杂，将波导区域做PN型的控制，具体的结的结构可参考这个链接，Y7T336 硅光集成调制器PN结
中间P掺杂，旁边N掺杂，或者倒换是一样的。
P和N之间，既有串联电阻，也有一个结电容，现在大多数光模块的硅调制器是用的反偏的载流子耗尽型设计，反偏下电流很小，主要是结电容起作用，俗称容性阻抗
（不考虑热补偿），普通的三电极设计，是GSG结构
信号那一端，用Bias-T结构来加载直流偏置以及交流的调制信号。
Bias-T的电流，咱们在很多地方见过的。电容可以集成，电阻可以集成，但电感或者磁珠要进行集成就非常的难。
电感和磁珠的区别，可以参考如下链接Y5T32 光模块的EMI为什么选用磁珠而不是电感
华为就用一个电阻，来替代电感和磁珠
替换之后，传统设计就是下图这样。
上图结构，把电阻也集成在硅光芯片里，也就是把bias T的部分匹配电路给集成了。就成了四电极，分别输入GSG的交流调制信号，以及直流偏置。
取消了外围难以集成的电感或磁珠，好处是硅光芯片和驱动芯片就能Flip chip，直接互联。不用很多外围的阻容感了。
劣势就是，会有电信号的反向泄露。电信号是高频的交流信号，以前的Bias T的磁珠和电感是能隔离交流信号的，只输入直流偏置，对交流信号进行隔离。有电感的这种结构起到调制信号都进入调制器，不会反向泄露到直流偏置端。
华为的处理就是，加大直流偏置端的电阻值，降低反向泄露的程度。
这个结构，如果集成两个电阻，可以做四电极的差分驱动。
产品推广宣传介绍或者招聘信息的发布，在我们公司的页面上，不在我的这个号里。反正是很便宜，具体联系我同事18140517646就行。