Y7T357 华为：硅光集成薄膜隔离器
更新时间：2021-12-23 07:12:56 阅读量：541
这个隔离器本身的体结构的，比较大，只是实现了片上组装工艺而已。
Y7T356 硅光调制器的电极设计 昨天的调制器电极并没有归纳合集2020的68页的这个向下引出的电极结构，因为薄膜隔离器还不是很成熟，使用的比较少，但确实研究很热。
华为针对这些有两个研究，一个是法拉第薄膜的沉积工艺，第二个是永磁薄膜工艺。 合集2020第162-167页是为什么隔离器需要永磁。
今天先写第一个，法拉第的旋光薄膜
第一个要解决的是，硅光器件很小，需要的隔离器越小越好，意味着在有限长度内偏振要旋转到位才行，要更大的磁光系数。
传统使用的隔离器中的法拉第片，是钇铁石榴石，在钇铁石榴石中掺入稀土元素，比如稀土中的“铈 ”，掺入三价的铈离子，可以大幅度提高磁光系数，具备了小型化和薄膜化隔离器的可能性。
但是，直接在硅上沉积磁光薄膜，引来第二个问题，原子扩散，在硅波导层和钇铁石榴石之间，原子会互相扩散，性能下降。
华为就是给出了解决原子间扩散的方案，选阻挡层。
如果选择二氧化硅做阻挡层，可以挡住原子扩散，但是上方的磁光钇铁石榴石的薄膜很难形成晶体，因为二氧化硅本身是非晶的。
选择金属氧化物，可以解决这个问题，比如氧化镁，氧化铝等，这些薄膜做扩散阻挡层，是多晶的，在上面生长钇铁石榴石，是晶体的过渡结构，形成旋光薄膜的晶体。
这周六一整天都是硅光集成议题，把光模块和硅光集成工艺、芯片、封装、器件、模块等内容尽量描述的详细一些。
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