Y8T1 锗硅垂直入射25G APD结构与电极
Y7T365 锗硅波导型探测器的电极分布，收纳在2021合集下的第491页
接着聊，与波导型结构不同的是垂直型
光从上方垂直照射下来，下图这个结构熟悉吧
现在的InP探测器也好，VCSEL也好，都是台面型设计，我们局部放大
蓝色的是钝化膜，常用氮化硅来做钝化，也可以持续附着其他的材料来增强钝化效果。什么叫钝化？ Y5T255 激光器端面钝化
氮化硅做光学芯片的钝化，有好处，第一是透明的，可以做光窗，第二是挡水汽和氧气的，起到对材料的保护作用。
我们把上图做3D旋转分布。
首先，刻蚀出来一块区域，内部形成一个台面的孤岛，里面的垂直叠加的PIN，PIPN等材料体系，做功能区域。 P型是里面的孤岛，露出的槽是N型半导体。
形成孤岛，是为了降低结电容，降低P和N的重叠面积，结电容降低，提高速率。
这叫“台面”结构。
这种台面可以是InGaAs的探测器，锗硅的探测器，也可以是GaAs的VCSEL
目的都是降低结电容。
一般的探测器是250微米宽，这个台面的直径大约在10-20微米之间，与速率强相关
接着，把里面的台面以及槽，都做钝化层，把整个工作区做个保护
之后开电极引出的槽，一个环，开在孤岛的外部，里边做光窗，外环是P电极。 VCSEL的光窗是光输出，探测器的光场是光的输入。
另外一个半环槽，是做N电极，槽深一些，不是全环，这是要留出P电极的引出位置
槽内沉积金属，中间的环是金属和P型半导体接触，这是P电极，外部的半环是N型接触，引出N电极
在表面继续沉积金属，引出电极到焊盘。
芯片的宽度大约250微米，每个焊盘的宽度约60微米，内部光窗在25G速率下约10-15微米，各家的设计不同。
电极还可以做各种变形，在2020合集的676-680页，有探测器电极的高速和低速的电极演变。
接着聊，我们在局部放大，截取更小一部分来看
终于到了锗硅APD的部分了。
在硅衬底上，或者SOI衬底上，一层层的做APD各个电场的材料分布，原理和昨天是相通的，无非的光的导入方向不同而已。
新年快乐！
