Y8T34 V2.0 勘误
昨天向博微信我，说Y8T34里提到的根特这个结构，还不是克尔频梳，依然是采用的T33涉及的SA锁波，氮化硅的微环仅做为谐振腔，没有激发克尔效应。
这是我的错。
先更正图。
再说一下背景。
Ranovus在51.2Tbps的CPO中，用了16个硅光引擎，每个3.2Tbps。 采用的量子点多波长激光器，配合级联的微环调制器，实现小型化。
2020年3月，有个demo，集成的量子点多波长激光器。
2021年3月，做了优化，改进电连接的接口和距离，降低功耗。
2021年11月，突然发布与以前技术路线不同的思路，说硅光芯片集成激光器，良率低，老化后良率再次降低，导致成本很高。采用外部激光器，来降低生产成本。
这个事情，一方面对CPO的产业化是好事，另一方面，其实也带来另一个劣势，尺寸大，耦合工序增加。
这是Y8T31，Y8T31 Ranovus用于硅光集成的激光器组件
后来的两天，我就想知道，他家之前的量子点多波长激光器到底是啥样，没找着。
但还是非常好奇
就想起来，《Optical Fiber Telecommunications VII》提到过这个，
早期读过第四卷，打印的，有一千多页，又买了一套中文版，对照着看，以我有限的能力，能看明白三成左右吧。
在2020年的第七卷，增加了多波长激光器的进展，提到几种多波长的方案，其中一种是基于微环的克尔效应形成光频梳。正在读，还没理解透。
另外是HPE有两个关于多波长激光器的讲解，一个是demo，今天写在T35，另一个是技术解析，写在T33
之前，IMEC/根特有个短期硅光课程提到过一个集成的三五族增益芯片与氮化硅微环的多波长结构，另一个是2019年nature上的论文 “Electrically pumped photonic integrated soliton microcomb”，也是一个InP增益芯片与氮化硅的微环的多波长结构。
根特的图很清楚，我就按这个结构想写一下克尔频梳，这是T34
我的错误
InP激光器与微环级联，可以把微环看做普通谐振腔，做多波长激光器，也可以激发出克尔效应，做多波长激光器。
T34的结构，在根特的实验中，并没有激发克尔效应。
再说一下，我的学习方式和这个系列的读书笔记，看我写的字比较多的人都知道，隔一段时间，就重复一下，避免有歧义。
1， 写了很多篇，是因为对我来说，不懂的知识点比已经知道的要多的多，所以才有无穷无尽的待学习的素材。
2，为什么会有错，因为不懂啊，这些错在行家眼里是很清楚的，在我这个外行眼里就是天一样的距离。
3， 不懂，为什么还发出来，答：只有发出来，才有人告诉我哪里错了，可以快速修正。
不发，对我来说，看似学习，其实并不知道学习的效果。也许会有一个很长时间的错误理解放在脑子里，再另一个机缘巧合里才知道，也许曾经的理解是错的。
发，对我来说，有了快速修正的途径，是个高兴事儿。
还有小伙伴说，你发的是错的，那不是误导人了么，嗯呢，所以要定期提醒一下，所以才不授权给其他公众号转载，所以我们技术讨论中第一句话就是提醒，在螺旋结构里，边修正边提高。
Y8T34 V2.0
长微环，做螺旋状排序，可以减小芯片布局尺寸。 按照腔长来设计合适的FSR波长间隔，用于多波长激光器的谐振输出。
微环采用氮化硅来做，相比较硅微环，波导损耗小，且温度系数低，无需热补偿，降低功耗
InP增益层，设置三段。两端正偏压，呈现增益性质，发光/放大，中间反偏压，呈现饱和吸收，做SA。
在微环做外谐振腔，输出多个纵模，再通过SOA+SA的锁波设计，形成稳定的多波长输出。
线宽：146KHz
