Y8T48 Juniper 电吸收调制器

更新时间：2022-02-17 08:02:08 阅读量：626

2022年1月，Juniper和Tower宣布推出基于硅基III-V族激光器、半导体光放大器(SOA)、电吸收调制器(EAM)和光电探测器。

2022年2月，Intel宣布要收购Tower。

Intel的硅光工艺，包括了硅与InP的异质键合，用来做激光器和SOA，调制器和探测器则用硅或者锗硅来做。

Juniper收购Aurrion，用的也是硅和InP的异质键合技术。

合集2020的第428页、608页，合集2021上的第142页、合集2021下册的第422页等地方，也说过他家的硅光技术。

和Intel不同的是，他家还用异质键合来做电吸收调制器，原因与Rockley、Mellanox一样，要兼容厚硅。成也萧何败也萧何的厚硅技术暂且忽略。

今天略聊一下，异质键合的电吸收调制器结构，调制器长度约150μm，25Gbps时还好做一些，2014年左右就报道了，现在tower要在2022年底把工艺提升到200G与400G的应用，就比较难，需要考虑吸收区前热后冷导致的串联电阻的不均匀导致的带宽下降，需要增加加热器，或者分段调制，后端增加温度或者增加反偏电压来提高带宽。非常复杂。


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在硅波导上方通过氧原子做键合，顶层的工艺与Intel非常类似，在氧原子键合的工艺上，提出用氧化铝来提高键合力和良率。


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