Y8T57 为何早期硅基量子点很难与硅光集成来兼容
在硅上生长量子点，借用GaAs做缓冲，是很早的一个工艺，但是早期的结构里却很难实现与其他结构一起做硅光集成
原因也很简单，因为他们的晶向不同。在近两年才有了与硅光集成一样晶向的外延生长量子点工艺。
晶向，是人为给定义的晶体方向，用于辨别工艺面。咱们激光器用的InP、GaAs都是闪锌矿结构，是一种面心立方体，是两个原子组成的化合物。
每个原子，都与周边4个原子共用电子，形成键合力，是固体。
硅、锗也是类似的面心立方体结构，无非是硅，锗的单元素排列，也是每个原子，都与周边4个原子共用电子，形成键合力。
关键是这些原子是立体结构，不同的方向和角度，呈现了不同的力学、电学特性。与我们的性能息息相关。
常规，用的都是在晶锭上正切晶圆，形成衬底。InP衬底或者硅衬底
切完之后的晶圆，定向主要是区分100和110面，因为110是咱们的解理面，在Y5T250中写过，在这个面上的原子分布最紧密，与相邻的面这力较小，金刚刀延红线划过，很容易在这个面自然分裂。
xy轴是100面。
晶圆定向，用来找出解理面，并在芯片设计结构时，考虑解理结构。
001是外延生长面，在这个面上一层层生长我们需要的光学和电学结构
111面也用的越来越多，
比如2020合集的428页的硅波导平滑度处理，用了111面来达到原子级光滑。
比如 25G激光器的倒台型波导，合集2021上第79页，提高调制速率，用的也是111面。
比如2020和693页，用硅的111面来局部异质生长无缺陷的三五族材料。
但是，量子点早期在正切的晶圆上很难实现性能，用的是斜切衬底，虽然也是在硅衬底上异质生长三五族，但由于晶向的偏离，导致无法和目前的工艺进行集成。
近两年，在正切晶圆上开始外延量子点，并设置缓冲层来吸纳由于晶向导致的极性倒转的“反相畴”， 才有了“工艺突破”的说法
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