Y8T62 准悬空SSC波导衬底掏空工艺改良
合集2021上第389页是Ranovus的通过光场泄露做的SSC模斑转换，是一种准悬空结构，无需对氧化硅层做悬梁臂的设计，比悬空结构有了机械增强的效果。
但，衬底硅和顶层的波导硅，都是硅，虽然解决了氧化硅的机械应力，但衬底依然需要掏空，来防止硅光场从顶层移到衬底，造成泄露，损耗增加。
衬底很厚，掏空，意味着依然存在局部塌陷，机械支撑不足的问题。
合集2021下册的346页，通过两次SSC转换，进行波导抬高，可以解决衬底掏空的局部塌陷问题。但毕竟需要两侧氮化硅的光场转换，工艺难度也不低。
对于大规模的制造，沿着Y8T60 台积电硅光后期组装工艺，Y8T61 硅光集成2.5D/3D高密度封装-2，继续，台湾省的台积电，类似2021下第346页无需掏空，周边覆盖氧化硅的设计，可进一步改良。
既满足有氧化硅机械支撑，又不会衬底泄露，同时也不需要做多层氮化硅模场转换。
顶层硅前端做锥型，做场的泄露，与前边一样的。
锥型波导，周边打孔，穿透氧化硅层。
导入腐蚀液，衬底硅局部被掏空。这个和带有悬梁臂的纯悬空波导一样，但是纯悬空波导，这些空隙必须保留，不能二次填充。但准悬空结构是可以进行二次填充的。
接下来，热氧化或沉积一层氧化硅薄膜。
旋涂玻璃胶，从空隙中流入填充，达到避免塌陷，避免衬底泄露的目的。
小结一下：
①纯悬空结构，2020合集第639页，氧化硅层和硅衬底都需局部掏空，且不能填充，空气是做为光学包层出现的，对后期的工艺选择有限制。
②准悬空结构，2021上389页，氧化硅层无需掏空，只需掏空衬底，可填充，也可不填充，只是衬底较厚，需要wafer倒置，也较厚面积的填充，引起应力不匹配的现象。内应力较大。
③2021下346页，氧化硅层和衬底都无需掏空，但需要两层氮化硅波导进行光场抬高。
这一次的改良，更适合规模制造，无需③的两层氮化硅抬高，也无需②的wafer衬底刻蚀，可以在传统的顶部进行，与①相比能进行填充，内应力小，可靠性高。
