Y8T73 武邮 160bps PAM4 电吸收调制器
更新时间：2022-03-14 08:03:52 阅读量：628
武邮下属有很多单位，国家信息光电子创新中心和中信科都是他家的人，在今年的OFC PDP的Th3c.4是一篇关于硅光集成的锗吸收调制器。
硅波导上方生长一段纯锗，长宽高分别是25x1x0.25微米，调制器速率非常高，NRZ的话可以调制110Gbps，PAM4的话能达到160Gbps
速率很高，这是优点，
在Y8T68里聊过几类调制器的优缺点，一旦存在选择，必然是有优点也有缺点的。
MZ的优点是波长不敏感，但劣势是功耗太大，微环的优点是功耗小，可以用于通信波段，但劣势是啁啾太大。电吸收调制器则介于二者之间，但用硅光集成来做，则工作波段就是电吸收调制器的劣势。
武邮选择了1600nm做为调制器的波长，在这个波段的调制消光比最好。选择2.5V-3.1V的反偏电压，兼顾了调制速率和消光比的性能最优窗口。
选这个波长，是因为吸收材料是锗，锗的光学吸收边界在这个波段。
劣势也是因为这个波段，就是这个波段的传输性能略弱。在合集2021下第482页光纤损耗里做过解析，这个波段在二氧化硅中红外吸收很强，普通单模光纤的结构，在这个波段的色散也很大。
这也是亨通选择Rockley的调制器技术路线，不得已在三五族的EML和硅光集成之间摇摆不定，三五族的吸收是四元化合物InGaAsP，可以通过调整组分来调整吸收波长的边界。可Ge是一个单元素物质，不能调整。
武邮在参考文献里提及去年OFC的一篇锗硅的电吸收调制器，比武邮今年的调制器速率要低一些，区别在于用了锗硅合金来调整波长，我写在合集2021上的第456页了。
调制器的部分，立体图如下，长度25微米，用的是无锗接触类型，90nm的CMOS工艺节点制作。
剖面结构如下
