Y8T101 利用LC谐振提高EML带宽，用于200Gbps调制
Y8T84 Lumentum 用于200Gbps调制的76GHz EML
EML的速率主要受限于这两个电容，一个PN结电容，另一个是焊盘的寄生电容，降低电容则能提到带宽。
缩短吸收区，可以降低结电容，提高带宽，所以Lumentum等厂的吸收区长度在200Gbps的速率下，已经降低到≤100μm
今年OFC，ETRI提出一个不降低吸收区长度，且能提高带宽的方法。基本的观点是缩短吸收区长度，意味着消光比较小，而增加吸收区长度，消光比比较大。
所以用150μm长的吸收区，通过外置的键合金丝的寄生电感，和内部的电容，组成谐振电路，来峰化带宽。
ETRI的前提，其实我是不太认同的，缩短吸收区长度，固然可以降低结电容，提高带宽，但并不意味着一定会降低消光比，因为消光比是和吸收波长与激射波长的对准和边界的陡峭度有关的，比如合集2021下第243页，调整波长，提高消光比，今年Lumentum也是采用这种方案提高消光比的。
回到他家的主线，基于ERRI自己认为的前提，Y3T113 EAM电吸收调制器等效模型
那他家的EML的吸收区等效值如下，150μm长，寄生电感0.06pF，PN结电容0.16pF，串联电阻12Ω
再加上键合金丝的等效电感
利用金丝的寄生电感L，与电吸收调制器的电容C，以及匹配电阻R，共同组成谐振峰化电路。（合集2020的第636页什么叫峰化，以及电感峰化，和峰化提升带宽的名词解释）
EML的信号线，第一端130μm，第二端400-500μm，端接电阻，从50Ω调低到35Ω
利用整个的谐振峰化设计，把带宽提高到大约70GHz，用于200Gbps的信号调制。
这周日用六个小时来解析激光器、调制器和探测器的原理，其中调制器包括铌酸锂调制器、InP调制器、电吸收调制的基本原理与进展。
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