Y8T146 清华 紧凑布局铌酸锂薄膜调制器

更新时间：2022-05-26 07:05:40 阅读量：595

Y8T145，是华为与中山大学的铌酸锂薄膜调制器，主要思路是降低调制电压到1V，这样就需要增加调制器的长度，保障VπL不变。调制器的长度长达2.3cm。

清华的思路也是一样，只是对波导做了折弯处理，电压是1.08V，调制器的长度2.1cm，但折弯会产生电场反向，需要处理。清华主要的工作就是做电场反向，来实现折弯后的紧凑布局。


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清华把2.1cm（=21mm）的调制器长度，折成三弯，这样就能把总体芯片的长度控制在8mm。因为两侧需要光学输入输出路径


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蛇形布局，导致电场反向，这在合集2021下第12-15页有描述过这个问题，华南师范用的是铌酸锂反向极化的处理。清华没有改变铌酸锂的晶体极化方向，只是对电场的布局做了改变。


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做个折弯示意图，清华从左侧图样，改为右侧图样


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左侧的图，我用颜色来区分一下电极，电极两侧用橘黄与金黄来区分，就很明显看到红色的铌酸锂波导在折弯后的电场出现反向，意味着调制变得相互抵消而无法掌控


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看右侧，改变后的电极，进行局部放大


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折弯后的电极，做了“交叠”式变换，这样就在不局部极化铌酸锂波导的前提下折弯电场就一致了。


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另外，清华采用了去年的低损耗设计，类似富士通的结构，铌酸锂顶部加一层氧化物，用于缓解金属吸收，在拉近电极距离的前提下降低光学损耗。


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再者，用了和华科一样的铌酸锂刻蚀深度，600nm厚的铌酸锂，刻蚀深度不再是300nm，而是选择200nm，降低侧壁粗糙度，降低损耗。

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