Y8T188 区分集成电路FinFET、GAA-FET与MBC-FET结构
这些日子，在2nm、3nm的工艺节点，很多开始聊MBC FET，叫多桥通道场效应管，也叫纳米片FET，用来区别GAA FET和FinFET
FET是场效应管，用来替代开关的一种结构。我画个闸刀开关，源是电流流入端，漏是电流流出端，栅就是开关，用于源漏之间的闭合和断开。
合集2020第230-233说的晶体管的两个大的分类，一个是Bipolar的双极性晶体管，用（基极）电流来控制两侧半导体导通还是截止。另一个就是MOSFET，用（栅）电场来控制两侧半导体的导通还是截止。
Bipolar的驱动能力强，在光模块中用于激光器的驱动芯片等模拟电路。
MOSFET“电场”无需大电流即可控制，常用于数字电路或者无需大电流的模拟电路，优点是低功耗。比如DSP
早些时候，MOS，也就是金属-氧化物-半导体的电容结构用于栅极控制。Y8T184 IC工艺用在硅光集成中的那些材料
当源、漏之间距离越来越近，就有了鳍Fin型的栅极。
对于这么小的栅极，需要增加金属和氧化物与半导体的“场”控面积，用立体结构给拱起来实现的。
尺寸再小的话，就有了环栅，目的是一样的，半导体可以小，但“场”控制面积不要再小了，否则这个电容太小，不足以导通或者截止。
对于纳米栅，工艺就更复杂了，需要做多层半导体，然后掏空，再次附着高k介质和金属。
相比较鳍栅的三面场控，GAA是“四面”全部环绕，叫做全环栅。
三星，把GAA做了优化，横向拉宽，增加场控效力，降低功耗，这就是MBC FET，也是全环栅，只是从纳米线，改成了纳米“片”形状的栅极。
看一下半导体市场，2021年全球半导体市场5560亿美元，在2019、2020后，大幅度增长。
芯片厂的top10，和代工厂的top10，都在从FinFET往GAA的方式在走。MBC FET也是GAAFET的一种变形而已，用于增加场控效力降低功耗。
