Y8T206 把上半年写的内容分一下类
上半年写了181篇笔记，21篇是与市场相关的，160篇与技术关联整理成册，惯例把技术类的内容做个分类，以便备查
几个会议类总结：
第30-39页，ECOC2021的梳理
第321-326页，OFC2022梳理，这个梳理非常非常的粗，只用了5页篇幅，另外还有一个299页篇幅的单独册子收纳了590页PPT，那个比较全。
第333-336页，是2022光芯片的几个技术重点，是一个总结性文字。
其他细类
光模块类（800G、相干、CPO...）
光器件类
光芯片类（激光器、探测器、调制器、硅光集成）
■ 光模块--编码
364-369页，光做为载波，调制速率与带宽和眼图的关系
308-310页，光眼图中的“噪声”体现在什么地方
25-28页，相干星座图与频偏的理解
385-390页，DPSK编码原理
23-25页，华为对于400G相干编码PCS-16QAM和QPSK的选择
28-30页，相干模块的波长复用密集度，以及波特率提升后需要拉长波长间隔
53-55页，二氧化硅PLC相干接收、InP相干接收与硅光相干接收的材料与性能之间的关系
390-393页，解释相干如何放大
357-360页，COSA与TROSA的区别和相同点
■ 光模块--相干模块
204-206页，OFC展出的几个400G ZR模块的厂家汇总
273-275页，400GZR/ZR+的通信试验
379-382页，Acacia 1.6T相干模块内部结构
■ 光模块--DSP
226-230页，Inphi关于800G DSP的发展路线
173-177页，区别CDR与DSP的功能
221-226页，高频DSP的焊点要缩短间距，才能适应高带宽连接
314-316页，高频DSP的焊点工艺
50-53页/314-316页，华为对于50G PON的发展趋势和采用DSP的论证
■ 光模块--IM/DD高速模块
275-278页，II VI对于800G以太网模块的观点
209-211页，Intel的800G 2xFR4模块
190-193页，武汉邮电科学院/光迅，对于800G中采用单波200G的观点
438-443页，单波112G的电信号金手指与接触簧片
396-400页，较为通俗的解读了一下“高速”的改变，并不是指传输速度更快
374-379页，SERDES、GearBox和电信号的MUX/DeMUX的一致性
■ 光模块--CPO（合集2022上只写了一点CPO，在OFC PPT汇编中CPO的收纳更全）
290-293页，热插拔、OBO与CPO的封装演变
189-190页，CPO MSA的更新
197-201页，用于CPO的光电同口激光器光源的标准化
142-144页，下一代通信是否选择CPO封装
206-209页，Ranovus的CPO
201-204页/278-281页，II VI对于CPO的观点以及CPO demo
153-157页，博通CPO
219-221页/193-197页/101-102页，Juniper CPO相关技术
250-252页，康宁CPO的玻璃基板
■ 光模块--5G类
180-181页/185-187页，MWDM与LWDM的四波混频风险，环形器的CWDM方案。
今年这一块写的非常少
■ 光模块--集成光学/硅光集成
432-436页，第一个集成电路
436-438页，第一个集成光路的概念
39-43页，InP集成与硅光集成的优缺点
■ 光模块--集成光学的三维封装
405-407页
379-382页
121-132页
59-62页
293-297页
407-411页
64-65页
415-419页
43-46页
250-252页
■ 光模块--硅光集成&光学材料与工艺
SSC硅光模场转换技术
236-238页，旭创的非悬空波导（悬空波导在另一册）
132-135页，台积电
102-105页，IMEC
115-116页，悬空波导的焊接工艺
光学器件的不同材料的工艺
448-454页，硅光集成中单晶硅与多晶硅工艺443-448页/287-289页，硅光集成中氮化硅工艺135-137页，硅光集成中锗的外延工艺
411-415页，硅光集成的厚硅工艺
419-425页，激光器与探测器的主要材料
105-107页，InP的化学生成工艺111-113页/116-119页/177-180页，硅光集成中三五族材料，ART工艺，斜切/正切工艺，硅基异质激光器材料体系变化。
■ 光学芯片--激光器-原理
238-245页，激光器二极管LD是放大器、SOA是放大器，RSOA，Gain、SA这些概念的区分。
99-101页/119-121页，激光器的输出偏振；
84-88页，激光器发散角与波导宽窄的关系
■ 光学芯片--激光器-VCSEL
248-250页，VCSEL与多模光纤的模式带宽，通俗解读
252-255页，区分单模/多模/少模光纤，及主要场景
170-173页，单模激光器与多模光纤的互相适配
259-261页，多结VCSEL
304-308页，高密度的VCSEL阵列，传输50G*16通道，共计800Gbps
163-164页，单波112Gbps VCSEL
■ 光学芯片--激光器-高速DFB（含啁啾管理）
88-91页，DFB的光栅及K因子
326-330页，高阶表面光栅
425-429页，112G 亚微米脊型宽度的DFB激光器
22-23页，两段式啁啾管理112G激光器
429-432页，微环滤波器的啁啾管理激光器
17-22页/47-50页，激光器阵列，及激光器阵列的应用
137-140页，旭创硅光混合集成外腔直调微环激光器
193-197页，Juniper硅光混合集成三五族激光器
■ 光学芯片--CW DFB激光器
167-168页/211-215页，Lumentum用于CPO或硅光调制器的大功率光源
313-314页，实光用于PLC耦合的三阶光场SSC
■ 光学芯片--CW 多波长激光器
62-64页：Ranovus多波长激光器原理
65-82页/109-111：多波长激光器的几个主要类型
161-163页：HPE 多波长激光器
316-348页：根特大学/IMEC的多波长激光器
347-348页：AWG做谐振腔的多波长激光器
157-160页/454-460页/335-357页/215-217页：Intel 多波长激光器
■ 光学芯片--窄线宽波长可调谐激光器
46-47页，波长可调谐的大功率与小功率的应用场景
55-59页，三菱窄线宽激光器
360-364页，上海交大氮化硅混合集成激光器
■ 光学芯片--激光器-EML
181-185页/144-147页，Lumentum的单波200G EML芯片，及驱动芯片设计
168-170页，博通200G EML
310-311页，HHI 200G EML
230-232页，用LC谐振电路做EML带宽峰化。
■ 光学芯片--调制器--铌酸锂类
97-99页，铌酸锂调制器的电光系数
281-285页，富士通铌酸锂调制器
147-149页，华中科技大学铌酸锂调制器
336-341页，中山大学铌酸锂类调制器、偏振控制、偏振旋转...
341-344页，清华大学薄膜铌酸锂控制器的极性控制
255-259页，哈佛大学的铌酸锂调制器
401-405页，ETHZ薄膜铌酸锂调制器
■ 光学芯片--调制器--聚合物类
344-347页，诺基亚贝尔实验室 15微米长的MZ调制器
15-17页，ETHZ聚合物调制器
■ 光学芯片--调制器--硅光类--MZ型
164-165页，华为67GHz纯硅调制器
330-331页，北大110G慢光纯硅调制器
319-321页，UCSB超低功耗硅基三五族调制器
302-304页，ETHZ 悬空波导MEMS控制的硅光调制器
■ 光学芯片--调制器--硅光类--微环型
165-167页/149-153，Intel微环调制器和驱动器芯片
355-357页，为何Intel的光源不做大功率来支持多个调制器的应用？
232-236页，HPE超低功耗微环调制器
82-84页，微环与直波导的耦合效率
■ 光学芯片--调制器--硅光类--电吸收调制
266-270页，NTT的硅基强限制电吸收调制器
101-102页，Juniper硅基三五族电吸收调制器
160-161页，武邮硅基锗电吸收调制器
■ 光学芯片--探测器
348-350页，APD破坏功率阈值筛选方法
311-313页，APD和雪崩层和吸收层分开设置的原因
264-266页，住友100G 波导型APD
285-287页，HPE纯硅APD，Intel PIN纯硅探测器
187-189页，用于50G PON APD
5-8页，垂直结构的锗硅APD
■ 光器件封装/可靠性等
抗反射处理
369-374页，光纤8度角设计
382-385页，MPD的斜贴抗反射处理
393-396页，AOI的前光与背光MPD区分
107-109页，天孚小角度分光滤波设计
354-355页，隔离套、透镜、光纤等无源器件的光功率损伤阈值
350-354页，Finisar的一种透镜组装方法
8-11页/11-15页，晶体的偏振分束棱镜
可靠性GR468的翻译，单独做了视频解析，也有一个文字版的译本，2022合集涉及到这个议题的就比较少了，297-302页/91-93页/140-142页，其中激活能的概念以及计算方法可以看一看。
仅仅汇总上半年160篇，快打字打疯了。写了八年今天是第2442篇笔记，在《光模块、光器件、光芯片》这个系列解析里，尽量按系统性的逻辑链来解释光模块。
并在技术解析中，与细分领域的市场发展趋势来聊一聊产业化进程，8月份安排可详询我同事18140517646
