Y8T211 再再谈一下Sicoya的硅光工艺平台
昨晚上Sicoya联系我们，Y8T209 再论Sicoya的硅光工艺平台
我写了Sicoya用的是局部SOI的工艺，留言是这么说的
我是Sicoya xxxxx，首先感谢匡老师持续在光通信领域的分享和贡献，我也经常读匡老师写的文章。匡老师最近分享的这篇关于sicoya硅光平台的工艺有个失误，所以我们建议做一个修改和澄清。
Sicoya并没有采用衬底硅-刻蚀凹槽-填充氧化硅-生长顶层硅来得到用作硅波导的硅材料。Sicoya的硅波导是用SOI wafer的硅材料制作，所以晶体质量是非常好的。
麻烦帮忙澄清下
我稍微汇总一下分歧点
Y8T209里我写的是Sicoya是在体硅上做的局部SOI
Sicoya留言说是在SOI wafer上做的。
先说一下局部SOI的我的观点，
在ECOC2020，Sicoya的CEO Sven Otte博士做了一个报告，叫做“ Fabless start-ups developing PIC-based products: Opportunities and Challenges”
第三页PPT提到的是Sicoya的工艺平台
把他家CEO的PPT放大来看，明显写的是Local SOI，局部SOI，这是信息来源。
再次放大，并用红框划出氧化物区域，Sicoya CEO的图中标注的是Bulk Silicon，也就是体硅的意思。
其次说一下我的判断，
局部SOI和整体晶圆级SOI（也就是SOI Wafer），二者很容易区别，但凡做这个行当的，自行判断吧。
第三说一下我的一贯风格，在我的能力所及之处，不做违心之论。
大多数的技术，但凡存在选择，是有优点也有缺点，全是优点的技术体系有没有，我只说没见过。客观描述就是我的风格。
Y8T209 再论Sicoya的硅光工艺平台里，我提到Intel的技术，有优点也有缺点，就是硅和InP界面的内应力，属于可靠性隐患。提到Sicoya，也是有优点优缺点，优点是集成度高，射频性能好，缺点是局部SOI的技术中顶层硅的晶体质量没有整片晶圆的SOI的顶层硅的晶体质量好。
最后，
是个辩证法
Sicoya的技术已经延续了十几年的时间，2020年9月，他家CEO说是bulk Silicon上的local SOI
2022年7月，他家员工说是用的SOI wafer
local SOI，和 SOI wafer是有差异的，如何区别也画了示意图。
对于他家自己的说法矛盾点，有两种可能性
一，2020年9月后，技术体系做了整体变迁
二，只说SOI，不说bulk silicon的体硅技术，也不去区分local SOI和SOI wafer，这样看起来也没说错，只是没说全。
建议后续可以统一这么描述，是Local SOI，但是这个Local SOI与MIT/三星等公司提到的Local SOI不一样，他们的顶层硅质量不好，但Sicoya有特殊技术，超越了前人。
末尾再提一句吧，给Sicoya打打气，我是只关注光通信，看起来在通信这个角度Local SOI有一些相对的劣势，但是如果把视野放宽，在激光雷达等领域，Local SOI的体硅区域导热性极佳，因为氧化硅不导热（导热率仅为硅的百分之一），具有产业优势。
是是非非的，专业人士们自行判断吧
