Y8T234 Marvell 用于硅光集成芯片的激光器设计
写的是独立封装的激光器，用光纤把光源导入到硅光芯片中，是属于第三章的近端光纤导入方式。
他家在CPO中，激光器和硅光芯片的封装用的是Flip chip的方式，常见结构是硅光芯片中刻蚀出对应的台阶，用于位置固定。
之前写过很多家的方案，今天看看Marvell的XYZ三轴位置是如何识别的，Z轴与大多数厂家一样，利用硅的台阶与激光器芯片的台阶做高度控制，但增加了冗余量。
XY轴是通过激光器芯片前端两个金属薄膜来做的限定。
Y轴的限定容易理解，表面镀金属膜时，直接镀到最前端，通过金属反射来探知Y轴相对尺度。
X轴的固定，非常有意思，精度很高。是通过两条脊线做高精度识别。我们的中间红色的是BH波导层，一般的宽度是3μm左右，对于CW光源，还可以再宽一些。刻蚀后再进行生长，顶面是平的。如果两侧留出一点点的有源层，则再次外延生长时，速度变慢，长出一个脊型结构来。
在做有源层的BH刻蚀时，留出一小段的对准线，宽度要和有源层有差别
不同的掩膜宽度，材料外延生长的速度是不一样的，在左右对准线的上方长出的InP材料（P型InP、半绝缘InP等等），会自然形成一个棱状线，在这个区域镀上金属膜，就很容易做高精度的识别。
激光器的一对儿平行棱线，与硅波导对应的那个平行线做X轴对准，精度自然也就很高。
Z轴的固定，与之前那些家的方案，思路是一样的，只是考虑产业化的实际问题。
焊接前，焊料较高，是固体
焊接时，焊料熔融成为液体，这时候由激光器的凸台与硅光底座的凸台对接，进行Z轴高度匹配，从理论上来说是可实现的。
但是，实际上的组装后，激光器的波导高度会略高于硅波导的高度，我做局部切边看，所以需要设计时考虑二者高度差
原因也很简单，我们认为的刻蚀台阶是个理想平面，
但实际上刻蚀表面是不平整的，有刻蚀后留下的碎屑，有粗糙，有起伏，虽然宏观上很小，但依然会引起耦合损耗增加。
Marvell在初期设计时把这个刻蚀面的粗糙导致的高度冗余考虑进去，
这个周末，一整天都是光模块中的硅光集成的内容，今年年初也写了一份硅光集成的技术与市场的行业分析，也算是阶段性的技术梳理过程。
