Y8T262 武邮单波400G 硅基锗探测器
更新时间：2022-09-19 07:09:27 阅读量：501
今年ECOC，武汉邮科院有一篇单波400G的硅基锗探测器的文章。
在他家前情介绍中，提到业内速率最高的那个双凹型的锗探测器，可达到265GHz，可但是并没有提及除速率之外的其他参数的优势，如响应度、暗电流等。这对于产业化的探测器而言是有不足的
武邮提到的那个265GHz探测器，工艺流程我写在合集2022上的432-439页，用了高精度光刻，用了原位掺杂，用了无锗接触，写了硅和锗边缘的载流子浓度的控制，也考虑了金属电极的材料体系
武邮则选择工艺成熟的90nm硅光平台，探测器的长度50μm，-3dB带宽在50-55GHz，响应度很高，1A/W，暗电流很小，3V反向偏压下只有10nA的暗电流。
50GHz的带宽，如果采用PAM-8的编码格式，可以达到单波408Gbps的接收速率。
P型掺杂和N型掺杂，采用无锗接触的方式，降低载流子吸收损耗，提高响应度。
这个结构在武邮OFC的电吸收调制器中见过的，锗宽度1微米，高度240nm。
区别在于锗区的长度，以及掺杂处理。
今年把OFC的PPT做了一个汇总，接下来ECOC等写完后，也会做一个PPT汇总。方便以后对照着看看。
与硅光相关的议题，9月份的ECOC结束后，也会整体更新到10月底的那一次硅光集成的全天议题中去。（可详询我同事，18140517646）
对锗区做一个浅掺杂，兼顾响应度与速率。
太深的掺杂，会引起较大的载流子吸收损耗，灵敏度变差，响应度降低。
不做掺杂，光被吸收后在锗区产生了自由电子和空穴这些载流子们，他们在本征区的渡越速度不够，降低探测器的速率，稍微做一些掺杂，能提高带宽和速率。
用悬空波导做SSC，这个也是常见的硅光波导的模斑转换结构，之前写过很多，就不赘述了。端面耦合损耗有3个dB。电极的分布与锗电吸收调制器的分布基本相同。
