Y8T276 HHI 单波200G EML
今年OFC，HHI发布单波200G EML，在9月份的ECOC，也更新了200G EML的进展。
3月份的带宽是50GHz，EML的图在《OFC2022 PPT汇编》的第PPT298-300
9月份带宽提升到65GHz，电极分布略有一些变化
HHI这些年的InP平台，我们也写过几个，双层有源层结构的EML，可支持对接生长的EML
Y8T269 HHI 100GHz InP平台，和现在的InP平台
大多数EML厂家采用对接生长量子阱，少数厂家选择双层有源层量子阱设计，很少厂家选择同一样外延量子阱的。HHI就是用这个结构来实现的。
对于EAM，在边界波长分为吸收区和透明区，这个界面是由EAM的量子阱决定
外加反偏电场，可红移吸收/透明边界
激光器的波长，是由DFB区的量子阱和光栅共同决定的。光栅决定谐振波长，如果谐振波长处于量子阱增益峰的最大增益点，则出光功率和波长都能兼顾。
激光器波长，光栅决定
激光器的出光功率/斜效率/阈值，光栅与DFB增益峰共同决定
电吸收边界/消光比，电吸收层的量子阱决定
采用对接生长，可以分别设计，让多个性能处于相对最优点。对接生长工艺复杂，成本较高，有可靠性风险。
最简单的则是单层有源设计，不过，需要牺牲一些性能。按推测来算，HHI应该是牺牲了光功率，即使是用SOA来做功率放大，依然没有Lumentum的出光功率那么大。
另外无法兼顾的是消光比，HHI这个文章里没有给出实测的动态消光比数据。
我把ECOC 2022里写的三个单波200G EML中的PI曲线在同一个坐标轴做拟合。
HHI的阈值电流很大啊，斜效率很低，与华为和Lumentum的曲线不同。
照这个表做个合理推论的话，HHI应该是对DFB的增益层和光栅做了很大的“失谐”设计，（DFB谐振波长与量子阱增益的失谐，可参考2021合集上第39-44页解读）
10月23号有EML的解析，会把这次ECOC的部分内容更新到这一期解析中。
