Y8T279 Lumentum CW DFB+SOA激光器
DML需要调制，要考虑带宽，对于BH的波导宽度要做到极致的“窄”，用于降低结电容，提高带宽。电光效率/斜效率不是DML最高优先级考虑的问题。
而CW激光器，则需要BH的波导宽度尽量的“宽”，目的是在破坏阈值的功率密度下，提高光斑尺寸，能够实现更大的输出功率。光场下拉在损耗较低的N型半导体，提高电光效率，用局部无光栅的等效SOA实现大的斜效率，也就是下图Lumentum的CW方案
或者Intel提高限制因子，提高电光效率，直接集成，降低耦合损耗，提高耦合效率。
OFC2022 Lumentum的CW激光器，用的SI-BH结构，DFB+SOA来提高光功率，前端有SSC模斑转换，用于降低发散角，提高耦合效率
ECOC2022，在之前的基础上对发散角做了再次优化，与硅光调制器的耦合效率，在OFC的基础上提升3dB性能
这次是采用在N型InP间增加“BEX”光束转换层概念，把光斑拉成基本圆形，且单模等效光场较大。
OFC那个结构，极易激发高阶模，如果要对单纵模做稳定处理，就得减小光场，这样在同样的光功率密度下，激光器的总输出功率受限。
OFC在功率与单横模模式之间需要做出权衡。且SSC后的光斑还不是真正的圆形。
ECOC在OFC的基础上继续优化，增加了一层比衬底材料折射率大一些，比量子阱材料的折射率略低一些中间层，用于控制模式和发散角。这样就无需跳如横模模式和功率之间两难的困境。
同时可以实现低发散角。
难处是阈值会大一些，好在激光器的斜效率较高，在350mA电流下，二者的输出功率基本一致，降低耦合损耗，提高了耦合效率，这就等于用一个BEX层获得极大的整体优势。
Lumentum并没有说这层BEX用的是什么材料，
从类似厂家的方案来猜一下，比如实光的那个结构，也是用于提升CW激光器与硅光波导耦合效率的设计，在n型InP中插入多层间隔分布的InP与InGaAsP，这样这个层的折射率就比InP高一些，比有源层的InGaAsP或AlGaInAs的折射率低一些。介于二者之间。
BEX材料，如果是单层，大概率是InGaAsP，如果的多层设计就是InP与InGaAsP交叠分布。
