Y8T305 HHI 45GHz带宽MZI

更新时间：2022-10-22 09:10:17 阅读量：599

HHI今年ECOC有个基于半绝缘衬底，局部掏空制作PIN型半导体InP材料MZ调制器。

行波电极置于半绝缘InP上，可以降低射频损耗，从而提高带宽。

体材料铌酸锂要提高带宽也是同样的思路，降低射频损耗，才有了用薄膜铌酸锂材料替代体材料，降低光场，提高电场作用，减小了射频电极长度，降低了射频损耗，从而提高带宽。

金属置于半导体上射频损耗更大一些，置于半绝缘材料上损耗略低。在半绝缘InP衬底上局部挖空，生长InP 材料，采用容性负载，调整射频阻抗和射频行波速度。

依然是PIN调制波导，相比较NIPN波导结构，带宽略低些，这次HHI的45GHz带宽，对比一下。

因为P型半导体的光学损耗很大，在需要调制的区域才进行掺杂，其他区域则用本征InP，用来降低一些插入损耗。

行波调制的带宽主要受限于电学信号的速度（由射频折射率控制）与光学信号的速度，二者有差异，也就是有相位差。

HHI这个结构，射频折射率4.2，光学折射率3.8，如果将电压摆幅调至3Vpp，则调制器长度可降低到3mm，理论带宽能达到100GHz以上。