Y8T295 香港科技大学硅基外延III V族工艺
香港科技大学有个报告，说的是III–V lasers selectively grown on (001) silicon，
也就是在001硅上生长III V族材料，用于制作激光器或探测器。
先记一下001这个晶向。
在OFC2022的PPT汇编里，我把香港科技大学的生长面解读为111面。
人家香港科技大学说在001硅上生长，我说人家在111的硅上生长，还说没写错，不矛盾，这不就是抬杠呀。
稍微解释一下，在2022合集里也写过晶体方向。
常规的晶圆切下来后，这个切面是001面
在001面上去生长InP，也细分为两类，一类是表面地毯式生长，一类是V型槽生长，V型槽生长是香港科技大学的选择技术路线。
001和111，我在图上画一下。
再回到OFC的PPT汇编这个解析中，我写111，重点描述的是原子的结合面，香港科技大学的重点描述的是晶圆正切。
晶圆要正切，很重要，一会儿说原因。
早期在001的晶圆表面直接生长InP，需要很厚的缓冲层。
因为我们的表面不可能原子分布是正片在一个层高，总会出现台阶，以前的CMOS集成电路，现在的硅光集成，都是在硅上制作的，硅就一个元素，不在乎有没有台阶。生长时，下一个硅的结合，还是很好的分布
可，如果在硅上长InP，磷化铟，那是两个元素的化合物半导体。那么在有台阶的单元素硅上生长化合物磷化铟（其他化合物也一样，只要不是单元素），就有可能出现位错。
原本铟的旁边是磷，可是会出现铟的旁边还说铟，这就形成了“反相畴”，不能用来制作激光器和探测器的。
要避免反相畴，或者用晶圆斜切的方式进行，斜切就做不了常规的集成电路和硅光集成的常用工艺了呀。
正切很重要。
正切就要很厚的缓冲层
下图是香港科技大学在做综述时，对001晶圆表面在横切，直接生长的量子点激光器的发光过程。
在001正切晶圆表面，兼容传统的集成工艺前提下，利用111的生长面，就能极大的降低缓冲层的厚度，
有这个111的V型生长面，既可以纵向生长，也可以横向生长，香港科技大学更倾向于横向生长，也就是我在OFC2022 PPT汇编中提及的波导高度，以及辅助模板的工艺路线。
11月26号，我们做一个ECOC2022的解析，把各家的观点和技术汇总一下。
