Y9T21 华为三级控制的MEMS反射镜
合集2021上第222-224页，写过长距接收端采用SOA的方案，比如ER4 40km的传输，不用APD，而是采用SOA+PIN的接收端设计。
如果要SOA用于接收端，SOA的最佳增益点与接收功率之间存在的失调，一般插入一个VOA在接收光路与SOA之间。
在激光雷达中，有机械反射镜或者相控阵的方案，在2022合集中写过。
VOA也好，激光雷达的反射镜也好，很多厂家采用了基于MEMS的旋转反射镜。
反射，可以在半导体结构上涂覆金属反射膜即可，旋转可以通过悬梁结构来实现，悬梁的刻蚀可以通过选择性腐蚀来实现，咱们写过的硅光集成悬梁透镜调整（如2022合集下第131页）、悬空波导（2022合集下第103页）、悬空MZ调制器（2022合集上第302-304页）....
刻蚀悬梁，然后通过MEMS电极的静电吸附作用，同性相斥异性相吸，就可以实现反射镜的旋转。通过旋转光路，可以进行激光雷达的输出角度控制，也可以改变光路与入射光孔的耦合效率，成为VOA可调光衰。
垂直齿，现在用的挺多的，分别在两个晶圆上设计动齿与静齿，采用晶圆键合工艺，让两个齿做交错式的上下分布。
MEMS的反复旋转，对于悬空结构而言，存在可靠性风险，华为有个设计，看一下思路。
动齿与反射镜的结合，更牢固，提高可靠性。
并且从传统的一级驱动，优化到三级驱动。
传统垂直齿的动齿与静齿，是条形分布的。
如果在晶圆上增加一个台阶凹槽刻蚀工艺，则可实现三级驱动，调整的范围更大。刻蚀凹槽，在硅光集成中调制器、脊型波导等各种结构， 是非常常见的设计。
静电的吸附力，与电场分布的距离成反比。
第一级的驱动，在动齿的A1和静齿的B1的电荷作用，两个凹槽内的电荷距离很远，吸附力很弱。
当动齿在A1-B1的静电下开始旋转，动齿A3与静齿凹槽的B2，距离更近，产生新的静电吸附力。可以继续驱动mems的悬梁产生旋转。
第三级，则是动齿的A2与静齿的B2，距离最近，依然可以产生较大的静电吸附力。
在传统的工艺流程中，上下晶圆各自增加一个凹槽的刻蚀，即可实现三级驱动。
2023年<光模块/器件/芯片的市场与技术解析>，是个系统性的解析，上下逻辑关系比较清晰。各期时间表已确定。
2022合集上下册、2021上下册、2020, 这几个册子合计2600+页，六十多万字，是小技术点详细分析，方便查阅。
可详询我同事18140517646