Y9T26 DSP的烧结银与激光器的烧结银
在合集2022下的497-499页，说DSP用烧结工艺来实现更高的电信号频率。烧结工艺，可以用铜，也可以用银。
在光学芯片的焊料选择中，也有银焊料，主要是两大类：
用微米颗粒的导电银胶，在常规的探测器等场景可以用，导电银胶很少用在激光器的焊接，因为导电银胶非常容易引起激光器可靠性风险。咱们常用的激光器焊料是金锡共晶焊料。
用纳米颗粒的导电银膏，可以用于激光器。这是一种比金锡共晶焊料更好的烧结材料。
略区分一下这两类场景
用于电芯片的银膏，主要选择的是“烧结”，也就是固体银的之间“金属键合”，Die bonding的那个键。
固体银的“键合”，不需要像焊料一样历经一个“液”态过程，目的是保持键合料的形状，用于DSP的引脚间距降低。
高频信号的焊点引脚间距要减小，可以参考2022合集下第435-449页对于电信号的一个综合解释，也可以具体参考2022合集上第221-226页为什么高频DSP的BGA的焊点需要更密集的分布。
如果要在较低温度下实现银的固态键合，需要把银粉的颗粒制作到“纳米”级别。也就是我们所说的纳米银膏。
高频电芯片的纳米银膏的烧结工艺，提高射频带宽，需要降低引脚间距，采用无液态焊料十分重要。
用于光芯片的纳米银膏，尤其是激光器的银膏，则是利用了材料的高导热性能。
咱们光模块中常用的是导电银胶，Y4T329 TO封装之--导电银胶
导电银胶很难用于激光器封装，主要原因有两个，第一个是导电能力差，第二个是导热能力差，曾经有公司把银胶用在激光器封装中，导致了串联电阻增大，线路生热，产生了批量可靠性风险。
导电银胶的导电能力差，和导热能力差，根本原因是一样的。银本身是很好的导电材料，也是很好的导热材料，但是导电银胶是在胶水中掺入了大量的银颗粒。这些颗粒通俗理解就是被胶带缠在一起的。
银颗粒和颗粒之间，只有较小的接触面，导电和导热都与接触面积强相关，接触面小，所以导电能力和导热能力都不行。
银胶的银含量越高，导电和导热能力越好。当然，这个号是相对的好。
咱们看一下，银胶一般用的微米级别的颗粒，95%银含量，热导率约为25W/m.k，比金锡共晶的热导率要低一些。
所以，激光器最最常用的是金锡焊料。
可，如果把颗粒度降到纳米级别，就能实现银和银的直接键合，导热能力得到飞升。
纳米级别的颗粒，通过100-300℃的温度烧结，银颗粒之间就长在一起了。
这是实打实的一块银，不是被胶水网住的银颗粒。纳米银烧结焊膏，导热能力比金锡共晶焊料要好很多。
小结：
用于高频电芯片的纳米银膏
主要原因是无液态流动性，支持高密度BGA焊点分布，而BGA的焊点信号与GND的距离要缩短，是由于高频电信号（电磁波）的波长变短了。
次要原因是电阻率很优秀，导热能力很高，DSP也是一个大热量的芯片，这些也是优点，也是需要的。
用于CW 大功率激光器的纳米银膏
主要原因是高导热特性，用在光纤通信单模波段的激光器，由于结构与材料的限制，从电到光的转换效率只有10-20%， 激光器产生极大的废热。由于是用于CPO和硅光芯片的CW 大功率激光器，输入电流在几百个毫安，废热越来越严重，激光器的封装，用更好的导热材料，优先级越来越高。
