Y9T28 提高锗硅探测器的饱和功率
更新时间：2023-01-28 09:01:06 阅读量：870
接着昨天，继续，按这个工艺流程，锗探测器的立体结构常规设计如下所示。
硅的锥形波导将光场逐步扩大后进入锗吸收区，传统结构的吸收主要集中在锗的前端，带来的问题是前端很快饱和，导致整个器件的饱和光功率较小。
在此基础上，要优化饱和功率，可以采用增加一段MMI的多模干涉区
工艺流程，昨天所示，
多模干涉，是光进入矩形的MMI区间后，这个脊型台阶是个天然的光学反射面。
点光源进入自由空间后会反散，但如果遇到一个反射面，则光反射后与原光束产生干涉，形成MMI多模干涉条纹
增加一段矩形区域，光一部分从锗前方入射，另一部分经过反射后进入锗的中后部，极大的缓解锗前端大功率导致的提前饱和现象。
从上图看，光还有一部分是未进入锗吸收区的，导致响应度降低。局部将反射面压窄，可以提高响应度。
如果还有一部分光被逃逸出去的话，再增加一个环形反射结构，能最大化的提高MMI结构进入锗区域的光的比例。
这种结构，缩短锗的长度，降低RC常数，提高带宽。 提高响应度，优化灵敏度，通过匀化入射光功率密度，优化饱和光功率。
同时兼顾带宽、灵敏度、饱和三个参数，对于产品性能非常有利。
