Y9T69 GF 硅光平台基于SiN的边缘耦合
合集2022上第443-448页，基本上硅光集成流片平台都有SiN波导层，SiN的温度漂移系数小，可以做Mux/DeMux，折射率差比硅波导小，可以用于SSC模斑转换，用于边缘耦合。
GlobalFoundries，采用45nm工艺，芯片尺寸较小，兼容了射频带宽以及量产成本。之前写过他家的Flip chip激光器工艺。合集2021上第435-438页。
今年OFC，他家给了一些基于氮化硅SSC光场转换后与光纤的耦合数据。
硅波导，光场有效面积约0.1平方微米，尺寸很小，耦合损耗很大，其次尺寸小导致光功率密度很大，当耦合进入硅波导的功率较大时，对硅波导造成不可逆的物理烧伤。
另外，硅波导还有很大的吸收损耗
氮化硅，折射率比硅小，光场有效面积约为1.6平方微米，既能够承受较大的光功率，也能够提高耦合效率，降低耦合损耗。
大多数厂家的氮化硅层，是在原顶层硅上方，通过倏逝波耦合，将硅波导在芯片边缘耦入氮化硅中，再通过氮化硅与光纤做耦合。之前写过很多结构，就不赘述，今天主要是补充GF的数据。
氮化硅既可以采用正锥形，也可以采用倒锥形，在2022合集上有写。倒锥形的光场泄露后，有效面积较大，多数厂家选择这个形变。GF没说他家的氮化硅结构，因为流片平台，具体设计是看客户的要求。
V型槽，在衬底硅的111晶面，湿法腐蚀能得到一个精确的角度，通过角度来做三维空间的控制。让光纤的波导芯与氮化硅的芯，高度和xy做对准。
GF是通过一个回环来做的测试。
光输入和输出，光纤的切割面，有个端面反射，整个光程是从输入端--光纤--氮化硅-硅-氮化硅--光纤--输出测试，回损可控制在-39dB
耦合损耗，TE损耗小于0.6dB，TM损耗小于0.8dB
最大承受功率是520mW，挺大的。如果客户选择的是外部激光器，像华为的300mW，旭创的100mW等等，就能够承受不至于被热损伤。
