Y9T79 NTT Flip Chip的EML芯片封装

更新时间：2023-03-24 08:03:57 阅读量：1692

大多数EML封装，采用金丝键合，有一些采用台阶来降低金丝长度，如华为、Lumentum等等，提高带宽。有一部分采用金丝并联，降低寄生电感，提高带宽，如Broadcom。这些在合集里写过多篇，也不赘述了。在今年OFC，另一家提到2021年NTT的Flip Chip倒装焊的EML，可以将金丝的等效长度降低到75μm左右，进一步提高带宽。

NTT的这个细节，在2023年初做了一些技术披露，写一下，EML的DFB电极，电吸收信号电极，如果有SOA的话，SOA的电极，这些都是P型半导体接触，传统EML，采用N型衬底，很多家也选择的N型底面电极，NTT选择的N电极表面沉积，一方面Flip Chip，需要GSG在一个平面，另一方面，可以提高一些带宽。

EML采用了SI-BH结构，合集2021上第106-110页是这个结构的工艺流程。P型表面电极与N型表面电极，截面如下

EML的封装，GSG的信号通过一个过渡基板提供，基板的高度与EML的芯片高度一致，然后覆盖焊接端接电阻板。

将电阻板做透明化，EA通过端接电阻板的表面布线，将EML与过渡基板连接，其次采用薄膜电阻置于EA的信号电极与GND之间。

端接电阻板，翻个面，

EA电吸收区长度，在200G EML中通常＜100μm，在OFC2022合集，ECOC2022合集，都整理过这两年200G EML的设计，如果采用表面N电极，则带宽还能进一步提升。

电吸收区75μm长度下，带宽曲线如下所示，底面N电极在90GHz左右出现振荡，带宽下降。采用表面N电极，则带宽大于90GHz，可用于单波200G PAM4调制